講演・口頭発表

発表年月 タイトル/共同研究者 発表者 掲載誌 巻・号・頁 学会名等
2024/10 水熱合成チタン酸バリウム微粒子分散インクを用いたパターン描画
中島世龍, 山口正樹, 山本孝
中島世龍, 山口正樹, 山本孝 日本電子材料技術協会 第61回秋期講演大会
2024/07 Study on Separation of Hydrothermally Synthesized Cubic-shaped Barium Titanate Single Crystal Nanoparticles
Masaki Yamaguchi, Seryu Nakajima, Takashi Yamamoto
Masaki Yamaguchi, Seryu Nakajima, Takashi Yamamoto The 16th Japan-China Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applications
2024/07 Effect of Residual Protons in Si Substrate Due to PBW on Ferroelectric Materials
Jun Hirade, Masaki Yamaguchi, Hideo Kimura
Jun Hirade, Masaki Yamaguchi, Hideo Kimura The 16th Japan-China Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applications
2024/06 ダイアフラム構造圧電素子における電気・弾性熱量効果測定
山口正樹, 山本孝
山口正樹, 山本孝 第41回 強誘電体会議, 14am-01, pp. 73 - 74.
2024/06 チタン酸バリウム水熱微粒子サイズの分散特性
中島世龍, 山口正樹, 山本孝
中島世龍, 山口正樹, 山本孝 第41回 強誘電体会議, 14pm-01, pp. 95 - 96.
2024/03 PBW による強誘電体材料加工が基板に及ぼす影響
平出惇, 山口正樹, 木村秀夫
平出惇, 山口正樹, 木村秀夫 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-12H-6, p.05-099
2024/03 ダイアフラム構造圧電素子の電気・弾性熱量効果
山口正樹, 山本孝
山口正樹, 山本孝 第71回応用物理学会春季学術講演会, 22a-12P-8, p.08-009
2023/11 チタン酸バリウム?熱微?粒?形状に及ぼす原料濃度の影響
満石海, 中島世龍, 齋藤敦史, 山口正樹, 山本孝
満石海, 中島世龍, 齋藤敦史, 山口正樹, 山本孝 ?本電?材料技術協会 第60回秋季講演?会, A-08
2023/09 チタン酸バリウム水熱微小粒子径の原料濃度依存性
満石海, 山口正樹, 齋藤敦史, 山本孝
満石海, 山口正樹, 齋藤敦史, 山本孝 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 20a-A309-7, p.05-008
2023/08 Dependence on Solution Concentration of Hydrothermal Single Crystal BaTiO3 Size
Kai Mitsuishi, Masaki Yamaguchi, Atsushi Saitoh, Takashi Yamamoto
Kai Mitsuishi, Masaki Yamaguchi, Atsushi Saitoh, Takashi Yamamoto The 15th China-Japan Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applications
2023/05 チタン酸バリウム微粒子合成における水酸化バリウム濃度の影響
山口正樹, 齋藤敦史, 山本孝
山口正樹, 齋藤敦史, 山本孝 第40回 強誘電体会議, 25am-08, pp. 63 - 64.
2023/03 強誘電体材料のPBW加工における残留水素量推定
平出惇, 山口正樹, 木村秀夫
平出惇, 山口正樹, 木村秀夫 第70回応用物理学会春季学術講演会, 15p-A404-11
2022/12 Effect of Reaction Accelerator on Single Crystal Barium Titanate Fine Particle Synthesis
Masaki Yamaguchi, Atsushi Saitoh, Misa Yamasaki, Takashi Yamamoto
Masaki Yamaguchi, Atsushi Saitoh, Misa Yamasaki, Takashi Yamamoto The 14th Japan-China Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applications, E-5, p.50
2022/12 Experimental Approach to Residual Hydrogen Content in Silicon Substrates by Proton Beam Writing
Jun Hirade, Masaki Yamaguchi
Jun Hirade, Masaki Yamaguchi The 14th Japan-China Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applications, P-22, p.82
2022/11 水熱合成チタン酸バリウム微小粒子における原料濃度の影響
山口正樹, 齋藤敦史, 山﨑美沙, 山本孝
山口正樹, 齋藤敦史, 山﨑美沙, 山本孝 日本電子材料技術協会第59回秋期講演大会, I-P3
2022/09 チタン酸バリウム微小粒子合成に与える原料濃度の影響
山口正樹, 齋藤敦史, 山本孝
山口正樹, 齋藤敦史, 山本孝 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 20a-B103-6, p.05-006
2022/06 チタン酸バリウム水熱合成粒子に与える反応促進剤の影響
山口正樹, 齋藤敦史, 軽部正志, 山﨑美沙, 山本孝
山口正樹, 齋藤敦史, 軽部正志, 山﨑美沙, 山本孝 第39回 強誘電体会議, 02pm-04, pp. 53 - 54.
2022/03 反応促進剤が与えるチタン酸バリウム微小粒子形状への効果
山口正樹, 齋藤敦史, 山﨑美沙, 山本孝
山口正樹, 齋藤敦史, 山﨑美沙, 山本孝 第69回応用物理学会春季学術講演会, 25a-E305-6, p.05-127
2022/03 PBWによる強誘電体材料の直接パターニング
平出惇, 山﨑美沙, 山口正樹, 木村秀夫
平出惇, 山﨑美沙, 山口正樹, 木村秀夫 第69回応用物理学会春季学術講演会, 25p-E305-17, p.05-180
2021/11 水熱合成チタン酸バリウム微小粒子における反応促進剤の影響
山口正樹, 山﨑美沙, 齋藤敦史, 山本孝
山口正樹, 山﨑美沙, 齋藤敦史, 山本孝 日本電子材料技術協会第58回秋期講演大会, II-A2.
2021/10 Study on Shape Control of Barium Titanate Single Crystal Fine Particles
M. Yamaguchi, M. Yamasaki, A. Saitoh
M. Yamaguchi, M. Yamasaki, A. Saitoh The 13th China-Japan Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applications, I-49
2021/09 チタン酸バリウム単結晶ナノ粒子の粒度分布
山口正樹, 山﨑美沙, 齋藤敦史, 山本孝
山口正樹, 山﨑美沙, 齋藤敦史, 山本孝 電子情報通信学会ソサイエティ大会, C-6-5
2021/06 印刷用チタン酸バリウム微小粒子の合成
山﨑美沙, 橘内義尚, 齋藤敦史, 山口正樹
山﨑美沙, 橘内義尚, 齋藤敦史, 山口正樹 第38回 強誘電体会議, 02pm-12, pp. 89 - 90.
2021/02 インクジェット・プリント成膜に用いるチタン酸バリウム微粒子の作製
山﨑美沙, 山口正樹
山﨑美沙, 山口正樹 第8回グリーンイノベーションシンポジウム
2020/12 インクジェット・プリント用チタン酸バリウム微粒子の作成
山﨑美沙, 山口正樹
山﨑美沙, 山口正樹 日本電子材料技術協会第57回秋期講演大会, A12.
2020/12 粒子配向用チタン酸バリウム単結晶微粒子の合成
山﨑美沙, 山口正樹
山﨑美沙, 山口正樹 電子情報通信学会技術研究報告, EID2020-8/SDM2020-42, pp. 29 - 34.
2020/05 チタン酸バリウム微小粒子合成に関する検討
山﨑美沙, 山口正樹
山﨑美沙, 山口正樹 第37回強誘電体会議, 29pm-01, pp. 95 - 96.
2020/03 印刷成膜用強誘電体微小粒子合成に関する検討
山口正樹, 山﨑美沙
山口正樹, 山﨑美沙 第67回応用物理学会春季学術講演会, 13a-PA2-10
2020/02 プロトン照射による基板温度変化に関する一考察
山口正樹, 平出惇
山口正樹, 平出惇 第7回グリーンイノベーションシンポジウム
2019/11 インクジェット・プリント法を用いたチタン酸バリウム薄膜の作成
山﨑美沙, 山口正樹
山﨑美沙, 山口正樹 日本電子材料技術協会第56回秋期講演大会, P7, p. 16.
2019/09 Influence of Irradiation Proton Damage on Ferroelectric Film Properties
M. Yamaguchi, M. Yamasaki, J. Hirade
M. Yamaguchi, M. Yamasaki, J. Hirade The 11th China-Japan Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applications
2019/09 印刷成膜用強誘電体微小粒子に関する研究
山﨑美沙, 山口正樹
山﨑美沙, 山口正樹 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-PA3-5, p. 05-168.
2019/05 プロトン照射ダメージが強誘電体膜特性に及ぼす影響
山口正樹, 増田陽一郎, 山﨑美沙, 平出惇
山口正樹, 増田陽一郎, 山﨑美沙, 平出惇 第36回強誘電体応用会議, 02-T-13, pp. 67 - 68.
2019/03 強誘電体膜作成基板における残留プロトンの検討
山口正樹, 増田陽一郎, 山﨑美沙, 平出惇
山口正樹, 増田陽一郎, 山﨑美沙, 平出惇 第66回応用物理学会春季学術講演会, 10a-PA3-10, p. 04-170.
2019/02 強誘電体膜特性に与えるプロトン照射ダメージと試料内残存プロトンに関する検討
平出惇, 山﨑美沙, 山口正樹, 増田陽一郎
平出惇, 山﨑美沙, 山口正樹, 増田陽一郎 第6回グリーンイノベーションシンポジウム
2018/11 プロトンビーム照射によるチタン酸ビスマス膜の改質効果
平出惇, 山﨑美沙, 山口正樹, 増田陽一郎
平出惇, 山﨑美沙, 山口正樹, 増田陽一郎 日本電子材料技術協会第55回秋季講演大会, P8, p. 18.
2018/09 Structure Defect of Bi4Ti3O12 Ferroelectric Thick-Films by Proton Beam Irradiation
M. Yamaguchi, Y. Masuda, J. Hirade
M. Yamaguchi, Y. Masuda, J. Hirade The 10th Japan-China Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applications, PF-05
2018/09 非鉛強誘電体厚膜構造に与えるプロトンダメージの検討
山口正樹, 増田陽一郎, 平出惇
山口正樹, 増田陽一郎, 平出惇 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-133-11, p. 05-206.
2018/05 Modification Effects of Lead-free Ferroelectric Film Properties by Proton Beam Injection
M. Yamaguchi, J. Hirade, Y. Masuda
M. Yamaguchi, J. Hirade, Y. Masuda 2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference (IFAAP 2018), 28pm-E07
2018/03 低湿度環境下における非鉛強誘電体膜の作成
平出惇, 山口正樹, 増田陽一郎
平出惇, 山口正樹, 増田陽一郎 第65回応用物理学会春季学術講演会, 20a-P5-8, p. 05-324.
2017/12 シリコン基板上に形成した強誘電体厚膜におよぼすプロトンビーム照射の影響
平出惇, 山口正樹, 増田陽一郎
平出惇, 山口正樹, 増田陽一郎 電子情報通信学会技術研究報告, EID2017-22/SDM2017-83, pp. 57 - 62.
2017/09 Modification Effects of Lead-free Ferroelectric Thick-Film Properties by Proton Beam Irradiation
M. Yamaguchi, J. Hirade, T. Shiosaki, Y. Masuda
M. Yamaguchi, J. Hirade, T. Shiosaki, Y. Masuda The 9th China-Japan Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applications
2017/09 プロトン照射による非鉛強誘電体厚膜の改質効果
平出惇, 山口正樹, 増田陽一郎
平出惇, 山口正樹, 増田陽一郎 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 7a-PA6-8, p. 05-142.
2017/06 PBW 用誘電体厚膜の形成
山口正樹, 平出惇, 増田陽一郎
山口正樹, 平出惇, 増田陽一郎 第34回強誘電体応用会議, 03-T-18, pp. 91 - 92.
2017/03 プロトン直接描画用強誘電体厚膜の作成
平出惇, 山口正樹, 増田陽一郎
平出惇, 山口正樹, 増田陽一郎 第64回応用物理学会春季学術講演会, 17a-411-9, p. 05-321.
2016/10 Flight Properties of Ink-Jet Liquid Solutions for Ferroelectric Film Fabrication
M. Yamaguchi, Y. Matsuoka, Y. Masuda, T. Shiosaki
M. Yamaguchi, Y. Matsuoka, Y. Masuda, T. Shiosaki The 8th Japan-China Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applications, PF-11
2016/09 強誘電体インクジェット成膜液の飛翔特性
山口正樹, 松岡勇汰, 増田陽一郎
山口正樹, 松岡勇汰, 増田陽一郎 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 14p-P3-2, p. 05-214.
2016/05 アルコール系インクジェトインクの飛翔特性
松岡勇汰, 山口正樹, 増田陽一郎
松岡勇汰, 山口正樹, 増田陽一郎 第33回強誘電体応用会議, 25-T-03, pp. 29 - 30.
2016/03 強誘電体インクジェット成膜に用いる吐出液の検討
松岡勇汰, 山口正樹, 増田陽一郎
松岡勇汰, 山口正樹, 増田陽一郎 第63回応用物理学会春季学術講演会, 20a-P1-4, p. 04-106.
2016/02 Fabrication of Piezoelectric Thick Films Patterned by Proton Beam Writing
M. Yamaguchi, Y. Masuda
M. Yamaguchi, Y. Masuda International Symposium of Piezoelectric Materials Toward Energy Harvesting
2015/09 強誘電体厚膜へのプロトン照射効果
山口正樹, 西川宏之, 増田陽一郎
山口正樹, 西川宏之, 増田陽一郎 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 14a-PA1-1, p. 05-110.
2015/08 Fabrication of BIT Thick Films Patterned by PBW
M. Yamaguchi, H. Nishikawa, T. Shiosaki, Y. Masuda
M. Yamaguchi, H. Nishikawa, T. Shiosaki, Y. Masuda The 7th China-Japan Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applications, FM-07, p. 39.
2015/05 PVP添加溶液による誘電体厚膜の形成
山口正樹, 渡辺和貴, 西川宏之, 増田陽一郎
山口正樹, 渡辺和貴, 西川宏之, 増田陽一郎 第32回強誘電体応用会議, 20-T-06, pp. 11 - 12.
2015/03 アルコール系インクによるチタン酸ビスマス薄膜の作成
柿元信利, 山口正樹
柿元信利, 山口正樹 第62回応用物理学会春季学術講演会, 11p-P4-6, p. 05-095.
2014/09 チタン酸ビスマス厚膜に及ぼす焼成時間の影響
山口正樹, 増田陽一郎
山口正樹, 増田陽一郎 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 18p-A9-15, p. 19-039.
2014/08 Fabrication of Ferroelectric Microstructures by Proton Beam Writing
K. Watanabe, M. Yamaguchi, H. Nishikawa
K. Watanabe, M. Yamaguchi, H. Nishikawa The IUMRS International Conference in Asia 2014, C10-P28-003
2014/08 Fabrication of BIT Thick-Films and Patterned by Proton Beam Writing
Masaki Yamaguchi, Kazuki Watanabe, Hiroyuki Nishikawa, Yoichiro Masuda
Masaki Yamaguchi, Kazuki Watanabe, Hiroyuki Nishikawa, Yoichiro Masuda The 10th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics, P-084, p. 118.
2014/05 誘電体厚膜の形成とプロトンビームによるパターン描画
渡辺和貴, 山口正樹, 西川宏之, 増田陽一郎
渡辺和貴, 山口正樹, 西川宏之, 増田陽一郎 第31回強誘電体応用会議, 30-T-22, pp. 103 - 104.
2014/03 プロトンビームによる誘電体厚膜への直接パターニング
渡辺和貴, 山口正樹, 西川宏之
渡辺和貴, 山口正樹, 西川宏之 第61回応用物理学会春季学術講演会, 17p-PG1-8, p. 06-008.
2013/12 誘電体厚膜の形成とプロトンビームによる直接パターニング
渡辺和貴, 山口正樹, 西川宏之
渡辺和貴, 山口正樹, 西川宏之 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2013-130, pp. 85 - 89.
2013/09 強誘電体厚膜形成におけるクラック抑制
山口正樹, 渡辺和貴, 西川宏之
山口正樹, 渡辺和貴, 西川宏之 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 18a-P1-2, p. 06-002.
2013/09 Reduction Effect of Crack Formation in Ferroelectric Thick Films Fabrication
M. Yamaguchi, H. Nishikawa, T. Shiosaki
M. Yamaguchi, H. Nishikawa, T. Shiosaki The 5th China-Japan Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applications, pp. 29 - 30.
2013/05 金属/強誘電体構造のパターン形成
山口正樹, 渡辺和貴, 西川宏之, 増田陽一郎
山口正樹, 渡辺和貴, 西川宏之, 増田陽一郎 第30回強誘電体応用会議, 22-T-04, pp. 21 - 22.
2013/03 プロトンビームによる強誘電体および白金薄膜パターンの形成
渡辺和貴, 山口正樹, 西川宏之, 塩嵜忠
渡辺和貴, 山口正樹, 西川宏之, 塩嵜忠 第60回応用物理学会春季学術講演会, 27a-PB1-9, p. 06-009.
2012/12 プロトンビームを用いた強誘電体微構造の作製
山口正樹, 渡辺和貴, 増田陽一郎
山口正樹, 渡辺和貴, 増田陽一郎 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2012-134, pp.113-117.
2012/11 Fabrication of Ferroelectric Microstructures by Proton Beam Irradiation
M. Yamaguchhi, K. Watanabe, H. Nishikawa, T. Shiosaki, Y. Masuda
M. Yamaguchhi, K. Watanabe, H. Nishikawa, T. Shiosaki, Y. Masuda The 4th Japan-China Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applications, 2C-06
2012/09 感光性材料による誘電体膜の形成
山口正樹, 西川宏之
山口正樹, 西川宏之 第73回応用物理学会学術講演会, 13a-PB1-1
2012/05 オクチル酸金属塩より形成した強誘電体膜の電気的特性
山口正樹, 西川宏之
山口正樹, 西川宏之 第29回強誘電体応用会議, 25-T-23, pp. 135 - 136.
2012/03 感光性材料により形成した誘電体膜の漏れ電流特性
山口正樹, 西川宏之
山口正樹, 西川宏之 第59回応用物理学会関係連合講演会, 18p-A4-1
2012/03 プロトンイオンビームによる圧電体加工
山口正樹
山口正樹 第91回金属材料研究会 圧電体エネルギーハーベスト
2011/11 Influence of Ferroelectric Film Properties by Proton Beam Irradiation Density
M. Yamaguchi, H. Nishikawa
M. Yamaguchi, H. Nishikawa The 3rd China-Japan Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applications, B26, pp. 102 - 104.
2011/08 粒子線露光量が誘電体薄膜パターンに及ぼす影響
山口正樹, 西川宏之
山口正樹, 西川宏之 第72回応用物理学会学術講演会, 30a-ZL-7
2011/05 強誘電体膜の粒子線露光によるマイクロパターニング
山口正樹, 西川宏之
山口正樹, 西川宏之 第28回強誘電体応用会議, 28-T-17, pp. 159 - 160.
2011/03 強誘電体膜の屈折率分散曲線の解析
山口正樹, 増田陽一郎
山口正樹, 増田陽一郎 第58回応用物理学関係連合講演会, 24a-BE-18
2010/10 Crystallization of Micro-patterned Precursor Films by Proton Beam Irradiation
M. Yamaguchi, Y. Mashiko, H. Nishikawa
M. Yamaguchi, Y. Mashiko, H. Nishikawa The 2nd Japan-China Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applications, F2
2010/10 強誘電体材料の無鉛化の動向
山口正樹
山口正樹 第88回金属材料研究会 無鉛化を目指す強誘電体および強磁性強誘電体
2010/09 強誘電体薄膜形成用アルコール系インクの作製とその応用
山口正樹
山口正樹 技術情報協会 材料/プロセス/研究開発セミナー プリンテッドエレクトロニクスに用いられる粒子・インクの作製と調整
2010/09 プロトンビーム描画を用いた強誘電体薄膜形成
山口正樹, 西川宏之
山口正樹, 西川宏之 第71回応用物理学会学術講演会, 14a-ZA-2
2010/06 Micro-pattern of Ferroelectric Films by Proton Beam Writing
M. Yamaguchi, Y. Mashiko, H. Nishikawa
M. Yamaguchi, Y. Mashiko, H. Nishikawa The 7th Asian Meeting on Ferroelectricity and The 7th Asian Meeting on Electroceramics, 2-b-P20
2010/05 アルコール系チタン酸ビスマス溶液の安定性改善
山口正樹, 大場友裕, 前田慎弥
山口正樹, 大場友裕, 前田慎弥 第27回強誘電体応用会議, 27-T-9, pp. 67 - 68.
2010/03 インクジェット用強誘電体インクの安定性改善
大場友裕, 前田慎弥, 山口正樹
大場友裕, 前田慎弥, 山口正樹 第57回応用物理学関係連合講演会, 18a-TR-11
2009/12 強誘電体インクの安定性改善
大場友裕, 前田慎弥, 山口正樹
大場友裕, 前田慎弥, 山口正樹 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2009-167
2009/09 プロトンビームによる強誘電体薄膜のパターニング
山口正樹, 増子雄太, 塩嵜忠, 西川宏之
山口正樹, 増子雄太, 塩嵜忠, 西川宏之 第70回応用物理学会学術講演会, 11p-L-8
2009/08 Micro-pattern of Ferroelectric Films by Proton Beam Writing
M. Yamaguchi, Y. Mashiko, H. Nishikawa
M. Yamaguchi, Y. Mashiko, H. Nishikawa The 1st China-Japan Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applications, pp. 17 - 18.
2009/05 感光性溶液を用いた強誘電体薄膜のパターニング
山口正樹, 増子雄太, 西川宏之
山口正樹, 増子雄太, 西川宏之 第26回強誘電体応用会議, 29-T-18, pp. 123 - 124.
2009/03 Bi4Ti3O12薄膜の電気的特性に及ぼす結晶構造の影響
山口正樹, 大場友裕
山口正樹, 大場友裕 第56回応用物理学関係連合講演会, 30a-ZH-2
2008/12 アルコール系原料を用いた強誘電体膜の電気的特性評価
山口正樹, 大場友裕, 増田陽一郎
山口正樹, 大場友裕, 増田陽一郎 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2008-192, pp. 43 - 47.
2008/11 インクジェット法による強誘電体薄膜の形成と微細パターンの直接描画
山口正樹
山口正樹 技術情報協会 電気・電子系セミナー エレクトロニクス分野における印刷法の現状と課題
2008/09 焼成酸素圧によるBi4Ti3O12薄膜の電気特性変化
山口正樹, 増田陽一郎
山口正樹, 増田陽一郎 第69回応用物理学会学術講演会, 2a-K-2, p. 455.
2008/08 Fabrication of BIT Films by Alcohol-Related Ink and its Properties
M. Yamaguchi, T. Oba, Y. Masuda
M. Yamaguchi, T. Oba, Y. Masuda The 6th Asian Meeting on Ferroelectrics, O-4-2-11, p. 38.
2008/05 チタン酸ビスマス薄膜の強誘電特性に及ぼす焼成雰囲気の影響
山口正樹, 大場友裕, 上村武史
山口正樹, 大場友裕, 上村武史 第25回強誘電体応用会議, 30-T-17
2008/03 アルコール系インクにより形成したBi4Ti3O12薄膜特性の焼成条件依存性
山口正樹, 大場友裕, 上村武史
山口正樹, 大場友裕, 上村武史 第55回応用物理学関係連合講演会, 30a-P14-14, p. 573.
2007/12 アルコール系溶液による強誘電体薄膜特性の焼成条件依存性
山口正樹, 増田陽一郎
山口正樹, 増田陽一郎 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2007-236
2007/11 Fabrication of BIT Thin Films by Alcohol-Related Materials and Its Properties
M. Yamaguchi, A. Yamamoto, Y. Masuda
M. Yamaguchi, A. Yamamoto, Y. Masuda 13th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics, 6p-T-C13, pp. 288 - 291.
2007/09 アルコール系溶液を用いたBi4Ti3O12薄膜の強誘電特性
山口正樹
山口正樹 第68回応用物理学会学術講演会, 5a-ZL-2, p. 585.
2007/06 インクジェット法による強誘電体薄膜の形成と微細パターンの直接描画
山口正樹
山口正樹 技術情報協会 電気・電子系セミナー 印刷法パターニングによる超微細薄膜作成技術
2007/05 Fabrication of Bi4Ti3O12 Thin Films Using Alcohol Related Solutions by Micro Liquid Delivery Systems
M. Yamaguchi, A. Yamamoto, Y. Masuda
M. Yamaguchi, A. Yamamoto, Y. Masuda The 16th International Symposium on the Application of Ferroelectrics, 29PS-A-30
2007/05 アルコール系溶液によるチタン酸ビスマス薄膜の作製と評価
山口正樹, 山本麻, 増田陽一郎
山口正樹, 山本麻, 増田陽一郎 第24回強誘電体応用会議, 23-T-1, pp. 25 - 26.
2007/03 インクジェット法による強誘電体薄膜の形成と微細パターンの直接描画
山口正樹
山口正樹 技術情報協会 電気・電子系セミナー インクジェット法を用いたセラミックスのパターニング技術
2007/02 電子デバイスへの応用展望
山口正樹
山口正樹 文部科学省 学術フロンティア推進事業公開セミナー
2006/12 インクジェット法におけるパターン形状の改善
山口正樹, 山本麻, 増田陽一郎
山口正樹, 山本麻, 増田陽一郎 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2006-211, pp. 55 - 60.
2006/08 Fabrication of Bi4Ti3O12 Films on Pt Substrate by Inkjet Printing
Masaki Yamaguchi, Asa Yamamoto, Yoichiro Masuda
Masaki Yamaguchi, Asa Yamamoto, Yoichiro Masuda The 6th Japan-Korea Conference on Ferroelectricity, P44, p. 84.
2006/06 インクジェット法による強誘電体薄膜の形成と微細パターンの直接描画
山口正樹
山口正樹 技術情報協会 電気・電子系セミナー エレクトロニクス分野における印刷法パターニング技術
2006/05 インクジェット法によるチタン酸ビスマス薄膜の作製
山口正樹, 増田陽一郎
山口正樹, 増田陽一郎 第23回強誘電体応用会議, 26-T-20, pp. 121 - 122.
2006/03 アルコール系溶液を用いたBi4Ti3O12薄膜形成における焼成雰囲気の影響
山口正樹, 増田陽一郎
山口正樹, 増田陽一郎 第53回応用物理学関係連合講演会, 24p-S-6
2006/03 オゾン雰囲気下で形成したBi4Ti3O12薄膜の評価
山本麻, 山口正樹, 増田陽一郎
山本麻, 山口正樹, 増田陽一郎 第53回応用物理学関係連合講演会, 24p-S-5, p. 592.
2005/12 インクジェット法によるビスマス系強誘電体薄膜の作製
山口正樹, 増田陽一郎
山口正樹, 増田陽一郎 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2005-212, pp. 59 - 64.
2005/09 アルコール系溶液を用いたBi4Ti3O12薄膜の形成
山口正樹, 増田陽一郎
山口正樹, 増田陽一郎 第66回応用物理学会学術講演会, 7p-L-9, p. 463.
2005/05 Pt基板における熱的安定性の改善
山口正樹, 山本麻, 増田陽一郎
山口正樹, 山本麻, 増田陽一郎 第22回強誘電体応用会議, 27-T-22, pp. 173 - 174.
2005/05 強誘電体記録を目的とした強誘電体薄膜の分極反転特性
越前正洋, 増田陽一郎, 山口正樹, 高島啓
越前正洋, 増田陽一郎, 山口正樹, 高島啓 第22回強誘電体応用会議, 25-T-4, pp. 19 - 20.
2005/04 Thermal Stability of Platinum Bottom Electrode for Bismuth Titanate Thin Films
M. Yamaguchi, A. Yamamoto, Y. Masuda
M. Yamaguchi, A. Yamamoto, Y. Masuda The 17th International Symposium on Integrated Ferroelectrics, 3-38-P.
2005/03 Pt電極の安定化によるBi4Ti3O12薄膜特性の改善
山口正樹, 山本麻, 佐藤嘉國, 増田陽一郎
山口正樹, 山本麻, 佐藤嘉國, 増田陽一郎 第52回応用物理学関係連合講演会, 29a-P1-2, p. 641.
2005/03 下部白金電極膜の熱的安定性
山口正樹, 山本麻, 増田陽一郎
山口正樹, 山本麻, 増田陽一郎 第81回誘電体研究委員会
2005/03 白金上チタン酸ビスマス薄膜における過剰ビスマス添加効果
山口正樹, 山本麻, 増田陽一郎
山口正樹, 山本麻, 増田陽一郎 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2004-254, pp. 29 - 33.
2004/12 BIT薄膜に及ぼす下部Pt電極の安定性
山口正樹, 山本麻, 佐藤嘉國, 増田陽一郎
山口正樹, 山本麻, 佐藤嘉國, 増田陽一郎 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2004-197, pp. 31 - 36.
2004/09 Si基板上Bi4Ti3O12薄膜への触媒添加効果
山口正樹, 増田陽一郎
山口正樹, 増田陽一郎 第65回応用物理学会学術講演会, 2p-Y-17, p. 482.
2004/05 チタン酸ビスマス薄膜におけるシリコン添加効果
山口正樹, 増田陽一郎
山口正樹, 増田陽一郎 第21回強誘電体応用会議, 27-T-20, pp. 61 - 62.
2004/03 シリコン基板上に作成したチタン酸ビスマス薄膜におけるシリコン添加の効果
山口正樹, 増田陽一郎
山口正樹, 増田陽一郎 第51回応用物理学関係連合講演会, 30p-ZL-1, p. 614.
2003/12 チタン酸ビスマス薄膜の作製におけるシリコン添加効果
山口正樹, 増田陽一郎
山口正樹, 増田陽一郎 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2003-185, pp. 39 - 43.
2003/08 Bi4Ti3O12薄膜特性の原料塗布順序依存性
山口正樹, 増田陽一郎
山口正樹, 増田陽一郎 第64回応用物理学会学術講演会, 30p-V-7, p. 482.
2003/05 原料交互供給によるチタン酸ビスマス薄膜の作成と評価
山口正樹, 増田陽一郎
山口正樹, 増田陽一郎 第20回強誘電体応用会議, 29-T-25, pp. 83 - 84.
2003/03 原料交互塗布によるチタン酸ビスマス薄膜の低温成長
山口正樹, 増田陽一郎
山口正樹, 増田陽一郎 第50回応用物理学関係連合講演会, 28a-R-8, p. 589.
2003/03 原料交互塗布によるチタン酸ビスマス薄膜の特性
山口正樹, 増田陽一郎
山口正樹, 増田陽一郎 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2002-273, pp. 55 - 59.
2002/12 原料交互供給法によるチタン酸ビスマス薄膜の作成
山口正樹, 増田陽一郎
山口正樹, 増田陽一郎 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2002-221, pp. 57 - 62.
2002/09 原料交互塗布によるBi4Ti3O12薄膜の作成
山口正樹, 増田陽一郎
山口正樹, 増田陽一郎 第63回応用物理学会学術講演会, 27a-P14-14, p. 477.
2002/08 Preparation of Bismuth Titanate Thin Films by Alternately Supplying Metal-Organic-Decomposition Method
M. Yamaguchi, Y. Masuda
M. Yamaguchi, Y. Masuda The 4th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics, P2-56, p. 135.
2002/05 Physical Properties of MOD Derived Bi4Ti3O12/Bi2SiO5/Si Structures
M. Yamaguchi, T. Nagatomo, Y. Masuda
M. Yamaguchi, T. Nagatomo, Y. Masuda International Joint Conference on the Applications of Ferroelectrics, 31H-PP1-43P, p. 389.
2002/04 固体発光素子:有機EL
山口正樹
山口正樹 第4回新しい光源・計測調査専門委員会
2002/04 イリジウム錯体を用いた有機EL素子
田中哲也, 長島奨, 山口正樹, 長友隆男
田中哲也, 長島奨, 山口正樹, 長友隆男 電子情報通信学会技術研究報告, DE2002-10/SDM2002-10/OME2002-10
2002/03 Bi組成によるBi4Ti3O12/Bi2SiO5/Si構造の特性変化
山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎
山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 第49回応用物理学関係連合講演会, 29a-ZA-5, p. 530.
2002/03 非晶質基板上GaN薄膜成長におけるグレーティング構造の効果
長野一将, 西野貴幸, 山口正樹, 長友隆男
長野一将, 西野貴幸, 山口正樹, 長友隆男 第49回応用物理学関係連合講演会, 27a-ZM-18, p. 355.
2002/03 Bi4Ti3O12薄膜組成によるMFIS構造の特性
山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎
山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2001-258
2001/12 トリガー物質によるIII族窒化物半導体物性の制御と電子デバイスへの応用
山口正樹, 長野一将, 西野貴幸
山口正樹, 長野一将, 西野貴幸 新材料創製シンポジウム
2001/12 Bi4Ti3O12/Bi2SiO5/Si構造に及ぼすBi組成の影響
山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎
山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2001-186, pp. 17 - 22.
2001/12 MOD-Bi4Ti3O12薄膜に関する結晶化過程の検討
山口正樹
山口正樹 第2回誘友会研究会
2001/12 グレーティング構造を用いた非晶質基板上へのGaN薄膜の成長
長野一将, 西野貴幸, 山口正樹, 長友隆男
長野一将, 西野貴幸, 山口正樹, 長友隆男 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第10回講演会, P-72, p. 88.
2001/10 分子分散型有機電界発光素子の白色発光
山口正樹, 長友隆男
山口正樹, 長友隆男 電気学会 光応用・視覚研究会, LAV-01-10, pp. 25 - 29.
2001/09 Bi4Ti3O12/Bi2SiO5/Si構造の作製とその特性
山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎
山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 第62回応用物理学会学術講演会, 12a-ZR-9, p. 385.
2001/08 Effect of Bismuth Content on Physical Properties of MOD Derived Bi2SiO5 Thin Films for MFIS Structures
M. Yamaguchi, T. Nagatomo, Y. Masuda
M. Yamaguchi, T. Nagatomo, Y. Masuda The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh Vapor Growth and Epitaxy, 03a-S11-17, p. 446.
2001/06 MOD法によるBi4Ti3O12/Bi2SiO5/Si構造の作成
山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎
山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 第18回 強誘電体応用会議, 1-T-36, pp. 127 - 128.
2001/03 MOD法により作成したBi2SiO5薄膜の特性に及ぼすBi組成の影響
山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎
山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 第48回応用物理学関係連合講演会, 28a-ZX-4, p. 536.
2001/03 トリガー物質によるIII族窒化物半導体物性の制御と電子デバイスへの応用
山口正樹, 早瀬裕介, 長野一将
山口正樹, 早瀬裕介, 長野一将 新材料創製シンポジウム
2001/03 Bi2SiO5薄膜物性に及ぼすBi組成の効果
山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎
山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2000-230, pp. 15 - 20.
2000/12 MOD法によるBi2SiO5薄膜の低温作製と諸特性
山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎
山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2000-176, pp. 61 - 66.
2000/12 MOD法によるBi2SiO5薄膜の作成とその評価
山口正樹
山口正樹 第1回誘友会研究会
2000/09 MOD法により作成したBi2SiO5/Si構造の評価
山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎
山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 第61回応用物理学学術講演会, 5a-G-8, p. 437.
2000/09 有機銅溶液の熱分解により形成した銅薄膜の特性
佃大輔, 本間哲哉, 高崎明人, 山口正樹, 町田英明, 高橋英郎
佃大輔, 本間哲哉, 高崎明人, 山口正樹, 町田英明, 高橋英郎 第61回応用物理学学術講演会, 5a-P8-3, p. 752.
2000/07 Fabrication of Bi2SiO5 Thin Films for MFIS Structures
M. Yamaguchi, K. Hiraki, T. Homma, T. Nagatomo, Y. Masuda
M. Yamaguchi, K. Hiraki, T. Homma, T. Nagatomo, Y. Masuda The 12th IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics
2000/05 Bi2SiO5/Si構造の作製と評価
山口正樹, 平木康嗣, 長友隆男, 増田陽一郎
山口正樹, 平木康嗣, 長友隆男, 増田陽一郎 第17回強誘電体応用会議, 27-T-46, pp. 209 - 210.
2000/03 白色発光有機EL素子の作製
花輪幸治, 加藤智彦, 山口正樹, 長友隆男
花輪幸治, 加藤智彦, 山口正樹, 長友隆男 第47回応用物理学関係連合講演会, 30a-Y-5
2000/03 MOD法を用いたBi2SiO5薄膜の作製
平木康嗣, 山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎
平木康嗣, 山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 第47回応用物理学関係連合講演会, 30a-P11-33, p. 535.
2000/03 Bi2SiO5/Si構造の作成とその評価
平木康嗣, 山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎
平木康嗣, 山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 電子情報通信学会技術研究報告, ED99-327/SDM99-220, pp. 7 - 12.
1999/12 低温GaN層の熱的安定性
杉渕大樹, 早瀬裕介, 山口正樹, 長友隆男
杉渕大樹, 早瀬裕介, 山口正樹, 長友隆男 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第8回講演会, P-68, p. 81.
1999/12 Si基板上に形成したBi2SiO5薄膜の特性
平木康嗣, 山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎
平木康嗣, 山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 電子情報通信学会技術研究報告, SDM99-166, pp. 21 - 28.
1999/11 トリガ-物質によるIII族室化物半導体物性の制御と電子デバイスへの応用
山口正樹, 杉渕大樹, 早瀬裕介
山口正樹, 杉渕大樹, 早瀬裕介 新材料創製シンポジウム
1999/09 Structural, Electrical and Optical Properties of CuInSe2 Thin Films Prepared by E-B Evaporation from Binary Compounds
A. Setiyadi, H. Sugiyama, H. Ito, M. Yamaguchi, T. Nagatomo
A. Setiyadi, H. Sugiyama, H. Ito, M. Yamaguchi, T. Nagatomo The 11th International Symposium on Photovoltaic Solar Energy Conversion, P-I-78
1999/09 Physical and Photovoltaic Properties of Tin Selenide Thin Films
T. Yamazawa, N. Yamauchi, M. Yamaguchi, T. Nagatomo
T. Yamazawa, N. Yamauchi, M. Yamaguchi, T. Nagatomo The 11th International Symposium on Photovoltaic Solar Energy Conversion, P-I-5
1999/09 反応性真空蒸着法によるIn2O3薄膜作製とO3の効果
吉村勇人, 内山秀一, 山口正樹, 長友隆男
吉村勇人, 内山秀一, 山口正樹, 長友隆男 第60回応用物理学会学術講演会, 4a-C-6, p. 522.
1999/09 強誘電体Bi4Ti3O12薄膜の光学特性と格子定数の関係
山口正樹, 長友隆男
山口正樹, 長友隆男 第60回応用物理学会学術講演会, 3p-A-9, p. 457.
1999/09 有機銅溶液の熱分解による銅薄膜特性の推積温度依存性
佃大輔, 本間哲哉, 高崎明人, 山口正樹, 町田英明, 高橋英郎
佃大輔, 本間哲哉, 高崎明人, 山口正樹, 町田英明, 高橋英郎 第60回応用物理学会学術講演会, 2p-ZN-6, p. 720.
1999/06 Processes for High Efficiency of Organic EL Devices with Dopants
T. Nagatomo, M. Yamaguchi
T. Nagatomo, M. Yamaguchi The 2nd Asia-Pacific Symposium on Organic Electroluminescent Materials and Devices, 2.10
1999/03 RFスパッタリング法によるBi2SiO5薄膜の作製と評価
平木康嗣, 山口正樹, 長友隆男
平木康嗣, 山口正樹, 長友隆男 第46回応用物理学関係連合講演会, 29p-L-17, p. 583.
1998/11 分子分散型有機EL素子の高効率化
長友隆男, 山口正樹
長友隆男, 山口正樹 光応用・視覚研究会, LAV-98-8
1998/10 分子分散型有機EL素子の高効率化と多色化
山口正樹, 青柳貴之, 長友隆男
山口正樹, 青柳貴之, 長友隆男 第47回高分子討論会
1998/07 Photovoltaic Properties of Vacuum-Deposited Tin Selenide for Solar Cell Materials
T. Nagatomo, A. Setiyadi, M. Yamaguchi, Y. Tsukino, N. Yamauchi
T. Nagatomo, A. Setiyadi, M. Yamaguchi, Y. Tsukino, N. Yamauchi The 2nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion
1998/05 Bi4Ti3O12薄膜の粒径効果
山口正樹, 長友隆男
山口正樹, 長友隆男 第15回強誘電体応用会議, 29-T-20, pp. 145 - 146.
1998/03 Bi4Ti3O12/Si構造の形成と評価
山口正樹, 長友隆男
山口正樹, 長友隆男 第45回応用物理学関係連合講演会, 30p-ZF-13, p. 618.
1997/12 シリコン基板上へのチタン酸ビスマス薄膜の形成と評価
山口正樹, 長友隆男
山口正樹, 長友隆男 電子情報通信学会技術研究報告, SDM97-174, pp. 71 - 78.
1997/05 Bi4Ti3O12低温形成膜の特性
山口正樹, 長友隆男, 大本修
山口正樹, 長友隆男, 大本修 第14回強誘電体応用会議, 28-TP-11, pp. 51 - 52.
1997/03 低温形成Bi4Ti3O12薄膜の特性
山口正樹, 長友隆男, 大本修
山口正樹, 長友隆男, 大本修 第44回応用物理学関係連合講演会, 30p-ZF-4, p. 487.
1996/12 Bi4Ti3O12薄膜の低温形成とその膜特性
山口正樹, 長友隆男, 大本修
山口正樹, 長友隆男, 大本修 電子情報通信学会技術研究報告, SDM96-157, pp. 7 - 13.
1996/09 Bi4Ti3O12薄膜に及ぼすバッファ層の効果
山口正樹, 長友隆男, 大本修
山口正樹, 長友隆男, 大本修 第57回応用物理学会学術講演会, 9p-F-12, p. 440.
1996/06 Si基板上へのBi4Ti3O12強誘電体薄膜の作製と評価
山口正樹, 長友隆男, 大本修
山口正樹, 長友隆男, 大本修 第13回強誘電体応用会議, 1-TP-19, pp. 199 - 200.
1996/05 Ferroelectric Bi4Ti3O12 Thin Films Grown on (100)-Oriented Silicon Wafers
M. Yamaguchi, K. Kawanabe, T. Nagatomo, O. Omoto
M. Yamaguchi, K. Kawanabe, T. Nagatomo, O. Omoto The Third Pacific-Rim Conference on Ferroelectric Applications
1996/03 Bi4Ti3O12強誘電体薄膜の作製と評価
山口正樹, 川鍋賢祐, 長友隆男, 大本修
山口正樹, 川鍋賢祐, 長友隆男, 大本修 第43回応用物理学関係連合講演会, 27a-V-10, p. 457.
1995/12 Preparation and Characterization of Highly C-Axis-Oriented Bi4Ti3O12 Thin Films
Masaki Yamaguchi, Kensuke Kawanabe, Takao Nagatomo, Osamu Omoto
Masaki Yamaguchi, Kensuke Kawanabe, Takao Nagatomo, Osamu Omoto 2nd International Symposium on Oxide Electronics, F-6
1995/12 高c軸配向Bi4Ti3O12薄膜の作製と評価
山口正樹, 川鍋賢祐, 長友隆男, 大本修
山口正樹, 川鍋賢祐, 長友隆男, 大本修 電子情報通信学会技術研究報告, SDM95-182, pp. 55 - 62.
1995/08 高c軸配向Bi4Ti3O12薄膜の作製と評価
山口正樹, 川鍋賢祐, 長友隆男, 大本修
山口正樹, 川鍋賢祐, 長友隆男, 大本修 第56回応用物理学会学術講演会, 27a-ZG-4, p. 397.
1995/05 RFマグネトロンスパッタリング法によるBi4Ti3O12薄膜の作製
山口正樹, 長友隆男, 大本修
山口正樹, 長友隆男, 大本修 第12回強誘電体応用会議, 27-TP-19, pp. 189-190.
1995/03 RFマグネトロンスパッタリング法によるBi4Ti3O12薄膜の作製
山口正樹, 猪越誠, 長友隆男, 大本修
山口正樹, 猪越誠, 長友隆男, 大本修 第42回応用物理学関係連合講演会, 29a-D-5, p. 441.
1994/12 Investigation on SnS Film by RF Sputtering for Photovoltaic Application
Wei Guang-Pu, Zhang Zhi-Lin, Zhao Wei-Ming, Gao Xiang-Hong, Chen Wei-Qun, Hiromasa Tanamura, Masaki Yamaguchi, Hidenori Noguchi, Takao Nagatomo, Osamu Omoto
Wei Guang-Pu, Zhang Zhi-Lin, Zhao Wei-Ming, Gao Xiang-Hong, Chen Wei-Qun, Hiromasa Tanamura, Masaki Yamaguchi, Hidenori Noguchi, Takao Nagatomo, Osamu Omoto IEEE 1st World Conference on Photovoltaic Energy Conversion