| 2003/04 |
High-Frequency Property of AIGaN/GaN-HEMT with Recessed Gate
SANO Yoshiaki, KAIFU Katsuaki, MITA Juro, YAMADA Tomoyuki, MAKITA Takehiko, SAGIMORI Tomohiko, OKITA hideyuki, ISHIKAWA Hiroyasu,
EGAWA Takashi, JIMBO Takashi
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IEICE transactions on electronics |
86巻
4号
687から
688ページまで
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一般社団法人電子情報通信学会 |