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発表年月
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タイトル／共同研究者
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発表者
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掲載誌
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巻・号・頁
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学会名等
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| 2025/03 |
Moドープアモルファスカーボン薄膜の諸特性
○ 青木慶次郎、牧野雄介、石川博康
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○ 青木慶次郎、牧野雄介、石川博康 |
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2025年電子情報通信学会総合大会 |
| 2025/03 |
アボカドの果肉の粘弾性特性と外皮硬度との相関性評価
東野一郎、齋藤誠、寺井藤雄、馬場嘉朗、○石川博康
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東野一郎、齋藤誠、寺井藤雄、馬場嘉朗、○石川博康 |
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2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 |
| 2024/09 |
酸化錫ドープ アモルファスカーボン薄膜の諸特性
○牧野雄介、水田羽翼、石川博康
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○牧野雄介、水田羽翼、石川博康 |
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2024年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会 |
| 2024/09 |
TiNをドープしたアモルファスカーボン薄膜の諸特性
○山下剛、矢島賢土、大津勇人、石川博康
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○山下剛、矢島賢土、大津勇人、石川博康 |
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2024年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会 |
| 2023/12 |
Cu2Oから作製した(CuO)1-x(Co3O4)x二元系混合物薄膜の作製
○川合晃平、石川博康
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○川合晃平、石川博康 |
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第6回結晶工学×ISYSE合同研究会 (応用物理学会) 研究ポスター発表会、ポスター:P-6 |
| 2023/12 |
Cu2O変換CuOおよびCuOに対するLi2Oを用いたCuO薄膜のLiドーピング
○秋山巧、伊勢真矢、石川博康
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○秋山巧、伊勢真矢、石川博康 |
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第6回結晶工学×ISYSE合同研究会 (応用物理学会) 研究ポスター発表会、ポスター:P-7 |
| 2023/12 |
光電変換素子に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるInN薄膜の作製
○廣瀬遼人、河野雄介、石川博康
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○廣瀬遼人、河野雄介、石川博康 |
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第6回結晶工学×ISYSE合同研究会 (応用物理学会) 研究ポスター発表会、ポスター:P-13 |
| 2023/12 |
RFマグネトロンスパッタリング法によるCu3N薄膜作製における微量酸素の影響
○平石太祐、藤中将人、石川博康
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○平石太祐、藤中将人、石川博康 |
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第6回結晶工学×ISYSE合同研究会 (応用物理学会) 研究ポスター発表会、ポスター:P-8 |
| 2023/09 |
ホウ素ドープ アモルファスカーボン薄膜の諸特性
○保坂優斗、牧野雄介、石川博康
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○保坂優斗、牧野雄介、石川博康 |
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2023年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会 |
| 2023/09 |
MOCVD堆積p-CuO/n-Siヘテロ接合の光起電力効果
○菅原嵩人、山下剛、石川博康
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○菅原嵩人、山下剛、石川博康 |
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2023年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会 |
| 2023/09 |
金属ドープアモルファスカーボン薄膜の諸特性
○水田羽翼、山下剛、石川博康
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○水田羽翼、山下剛、石川博康 |
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2023年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会 |
| 2023/03 |
Cu3N薄膜及びCu2O薄膜のO2アニール処理による電気抵抗低減
○伊勢真矢、金井雄介、石川博康
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○伊勢真矢、金井雄介、石川博康 |
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第70回応用物理学会春季学術講演会（2023春、上智大学＋オンライン） |
| 2023/03 |
RFマグネトロンスパッタリング法によるCu3N薄膜の作製とN2雰囲気アニールによるp型伝導の観測
○中村陽紀、藤中将人、片桐翔、石川博康
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○中村陽紀、藤中将人、片桐翔、石川博康 |
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第70回応用物理学会春季学術講演会（2023春、上智大学＋オンライン） |
| 2022/09 |
RFマグネトロンスパッタリング法によるCu3N薄膜の作製とn型伝導の観測
○藤中将人、中村陽紀、片桐翔、石川博康
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○藤中将人、中村陽紀、片桐翔、石川博康 |
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第83回応用物理学会秋季学術講演会（2022秋、東北大学＋オンライン） |
| 2021/09 |
MOCVD堆積CuO薄膜のポストアニール処理による電気抵抗低減
○成島光宣、伊勢真矢、川合晃平、石川博康
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○成島光宣、伊勢真矢、川合晃平、石川博康 |
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第82回応用物理学会秋季学術講演会（2021秋、名城大＆オンライン） |
| 2020/12 |
MOCVD法によるCuO薄膜の作製と低抵抗化の検討
○成島光宣、石川博康
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○成島光宣、石川博康 |
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第3回結晶工学×ISYSE合同研究会 (応用物理学会) 研究ポスター発表会、ポスター:P-12 |
| 2020/12 |
MOCVD法によるNiO/n-GaNダイオードの作製
○長谷川健、石川博康
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○長谷川健、石川博康 |
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第3回結晶工学×ISYSE合同研究会 (応用物理学会) 研究ポスター発表会、ポスター:P-23 |
| 2018/09 |
スリットノズルを用いた加湿と乾燥によるインクジェット塗布膜の形状再調整プロセス
近藤弘康,佐藤強,石川博康
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近藤弘康,佐藤強,石川博康 |
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2018年度精密工学会秋季大会（函館アリーナ） |
| 2018/09 |
自公転塗布によるリモートフォスファー用蛍光体グローブの形成と超講演色LED電球の特性評価
近藤弘康,石川博康
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近藤弘康,石川博康 |
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2018年度精密工学会秋季大会（函館アリーナ） |
| 2017/11 |
HMDS-introduced CVD camphoric carbon thin films
○Hiroyasu Ishikawa,Shoma Hazaka,Tsubasa Shibuya
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○Hiroyasu Ishikawa;Shoma Hazaka;Tsubasa Shibuya |
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Book of abstract: The 13th International Conference on Ecomaterials (Bangkok, Nov. 19-23, 2017) |
| 2017/09 |
HMDS導入CVD樟脳カーボン薄膜のXPS分析
羽坂奨馬,西村謙太,渋谷翼,石川博康
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羽坂奨馬,西村謙太,渋谷翼,石川博康 |
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第78回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集（2017 福岡国際会議場） |
| 2017/09 |
湿度制御を用いた新たなインクジェット成膜システムとPdOナノ膜の断面形状の平坦化
近藤弘康,佐藤強,山辺純成,石川博康
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近藤弘康,佐藤強,山辺純成,石川博康 |
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2017年度精密工学会秋季大会（大阪大学） |
| 2017/03 |
Fe源としてトリス(2,4-ペンタンジオナト)鉄(III)を用いたMOCVD法によるFeドープNiO薄膜の作製
○酒井駿吾,田口健太朗,藤原一樹,石川博康
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○酒井駿吾,田口健太朗,藤原一樹,石川博康 |
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第64回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集（2017春 パシフィコ横浜） |
| 2017/03 |
MOCVD法によるC面サファイア、YSZ(111)及びMgO(111)基板上CuO薄膜の成長
〇藤原一樹,田口健太朗,酒井駿吾,石川博康
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〇藤原一樹,田口健太朗,酒井駿吾,石川博康 |
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第64回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集（2017春 パシフィコ横浜） |
| 2016/10 |
常圧MOCVD法によるc-sapphire及び(111)MgO基板上へのNiO薄膜の作製
○酒井駿吾、田口健太郎、藤原一樹、石川博康
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○酒井駿吾、田口健太郎、藤原一樹、石川博康 |
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第5回結晶工学未来塾(2016) (応用物理学会)、ポスター:14, p.27 |
| 2016/10 |
酸素をキャリア・反応ガスに用いたMOCVD法によるCuO薄膜の作製
○藤原一樹、田口健太郎、酒井駿吾、石川博康
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○藤原一樹、田口健太郎、酒井駿吾、石川博康 |
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第5回結晶工学未来塾(2016) (応用物理学会)、ポスター:13, p.26 |
| 2016/09 |
HMDS導入CVD樟脳カーボン薄膜の原料Si/C比依存性
○羽坂奨馬,西村謙太,石川博康
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○羽坂奨馬,西村謙太,石川博康 |
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第77回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集（2016秋 新潟県朱鷺メッセ） |
| 2016/03 |
常圧MOCVD法によるCuO薄膜の作製 (2)
○藤原一樹,寺村瑞樹,田口健太朗,谷口凱,酒井駿吾,石川博康
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○藤原一樹,寺村瑞樹,田口健太朗,谷口凱,酒井駿吾,石川博康 |
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第63回応用物理学会春期学術講演会 |
| 2015/10 |
常圧MOCVD法によるCuxO薄膜の作製
○藤原一樹、寺村瑞樹、谷口凱、田口健太郎、石川博康
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○藤原一樹、寺村瑞樹、谷口凱、田口健太郎、石川博康 |
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第4回結晶工学未来塾 (2015)、ポスター:20 |
| 2015/10 |
常圧MOCVD法によるCuxO薄膜作製
藤原一樹,寺村瑞樹,谷口凱,田口健太郎,石川博康
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藤原一樹,寺村瑞樹,谷口凱,田口健太郎,石川博康 |
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第4回結晶工学未来塾(2015) |
| 2015/10 |
MOCVD堆積NiO薄膜のDryおよびWet酸化アニール
田口健太郎,谷口凱,寺村瑞樹,藤原一樹,石川博康
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田口健太郎,谷口凱,寺村瑞樹,藤原一樹,石川博康 |
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第4回結晶工学未来塾(2015) |
| 2015/09 |
HMDSを用いたCVD樟脳カーボン薄膜の広バンドギャップ化
○戸田聡,坂本裕樹,羽坂奨馬,石川博康
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○戸田聡,坂本裕樹,羽坂奨馬,石川博康 |
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第76回応用物理学会秋期学術講演会講演予稿集（2015秋 名古屋国際会議場） |
| 2015/09 |
常圧MOCVD法によるCuO薄膜の作製
○藤原一樹,寺村瑞樹,田口健太郎,谷口凱,石川博康
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○藤原一樹,寺村瑞樹,田口健太郎,谷口凱,石川博康 |
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第76回応用物理学会秋期学術講演会講演予稿集（2015秋 名古屋国際会議場） |
| 2015/03 |
MOCVD法によるc面サファイア上 Cu2O薄膜の結晶成長 -二段階成長の検討-
○寺村瑞樹,谷口凱,田口健太朗,藤原一樹,石川博康
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○寺村瑞樹,谷口凱,田口健太朗,藤原一樹,石川博康 |
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第62回応用物理学会春期学術講演会講演予稿集(2015東海大学 湘南キャンパス) |
| 2014/11 |
ビス(2,4-ペンタジオナト)-銅(II)を用いた常圧MOCVD法によるCu2O薄膜の作製
○寺村瑞樹,谷口凱,田口健太郎,藤原一樹,石川博康
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○寺村瑞樹,谷口凱,田口健太郎,藤原一樹,石川博康 |
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第3回結晶工学未来塾(2014) |
| 2014/11 |
ビス(2,4-ペンタジオナト)-ニッケル(II)水和物を用いた常圧MOCVD法によるNiO薄膜の作製
○谷口凱,寺村瑞樹,植木一成,端谷貴史,石川博康
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○谷口凱,寺村瑞樹,植木一成,端谷貴史,石川博康 |
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第3回結晶工学未来塾(2014) |
| 2014/09 |
ビス(2,4-ペンタジオナト)-銅(II)を用いた常圧MOCVD法によるCu2O薄膜の作製
○寺村瑞樹,谷口凱,石川博康
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○寺村瑞樹,谷口凱,石川博康 |
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第75回応用物理学会秋期学術講演会講演予稿集（2014秋 北海道大学） |
| 2014/03 |
ビス(2,4-ペンタジオナト)-ニッケル(II)水和物を用いたMOCVD法によるNiO薄膜の作製
○谷口凱、寺村瑞樹、石川博康
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○谷口凱;寺村瑞樹;石川博康 |
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第61回応用物理学会春期学術講演会(2014春 青山学院大学) |
| 2011/03 |
不純物ドープTiO2光触媒薄膜の特性評価
齋藤 寛己,石井 智之,小林 篤憲,石川 博康
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齋藤 寛己,石井 智之,小林 篤憲,石川 博康 |
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| 2010/09 |
反応性スパッタ法によるC,FeコドープTiO2光触媒薄膜の作製
石井智之、斎藤寛己、鈴木健太郎、石川博康
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石井智之;斎藤寛己;鈴木健太郎;石川博康 |
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2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会(長崎大学) |
| 2010/05 |
PL and structural studies of GaInN MQWs grown on Si substrates
H. Ishikawa,N. Mori
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H. Ishikawa,N. Mori |
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The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (Beijing, May 16-21, 2010) |
| 2010/05 |
Reduction of Threading Dislocations in GaN on In-Situ Meltback-Etched Si Substrates
H. Ishikawa,K. Shimanaka
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H. Ishikawa,K. Shimanaka |
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15th International Conference on Metal Organic Chemical Vapor Phase Epitaxy (Incline Village, May 23-28, 2010) |
| 2010/03 |
TiC粉末をターゲットに用いた反応性スパッタ法によるTiO2光触媒薄膜の作製
鈴木健太郎,斎藤覚,石井智之,斎藤寛己,石川博康,長友隆男
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鈴木健太郎,斎藤覚,石井智之,斎藤寛己,石川博康,長友隆男 |
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| 2010/03 |
Si基板上GaInN MQWのPL特性と微細構造の相関
石川博康、森直人
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石川博康;森直人 |
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| 2009/10 |
Improved MOCVD growth of GaN on Si-on-porous-silicon substrates
H. Ishikawa,K. Shimanaka,M. Azfar bin M. Amir,Y. Hara,M. Nakanishi
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H. Ishikawa,K. Shimanaka,M. Azfar bin M. Amir,Y. Hara,M. Nakanishi |
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The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (Jeju, Oct. 18-23, 2009) |
| 2009/09 |
デンドライトウェブSi基板上GaInN MQW LEDの試作
石川博康,森直人,嶋中啓太,原陽介,中西正美
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石川博康,森直人,嶋中啓太,原陽介,中西正美 |
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| 2009/09 |
TiN粉末をターゲットに用いた反応性スパッタ法によるTiO2光触媒薄膜の作製
斉藤覚,鈴木健太郎,石川博康,長友隆男
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斉藤覚,鈴木健太郎,石川博康,長友隆男 |
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| 2009/05 |
Si基板上GaInN MQW LEDにおけるn型層の成長条件の影響
森直人,嶋中啓太,広森公一,石川博康
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森直人,嶋中啓太,広森公一,石川博康 |
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| 2009/04 |
EB蒸着-AlOx/n-GaN MIS構造の評価
森本智彦,広森公一,石川博康
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森本智彦,広森公一,石川博康 |
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| 2009/04 |
Si基板上GaInN MQW LEDにおけるn型層のドーピング濃度の影響
森直人,嶋中啓太,広森公一,石川博康
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森直人,嶋中啓太,広森公一,石川博康 |
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| 2009/03 |
Siエピを施したポーラスSi基板上へのGaNのMOCVD成長
石川博康,嶋中啓太,M.Azfar bin M. Amir,原陽介,中西正美
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石川博康,嶋中啓太,M.Azfar bin M. Amir,原陽介,中西正美 |
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| 2008/07 |
MOCVD growth of c-axis oriented GaN on (110) Si substrates
H. Ishikawa,K. Shimanaka,K. Hiromori,N. Mori,T. Morimoto
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H. Ishikawa,K. Shimanaka,K. Hiromori,N. Mori,T. Morimoto |
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Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (Shuzenji, July 6-9, 2008) |
| 2008/06 |
MOCVD growth of GaN on porous silicon substrates
H. Ishikawa,K. Shimanaka,F. Tokura,Y. Hayashi,Y. Hara,M. Nakanishi
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H. Ishikawa,K. Shimanaka,F. Tokura,Y. Hayashi,Y. Hara,M. Nakanishi |
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14th International Conference on Metal Organic Chemical Vapor Phase Epitaxy (Metz, June 1-6, 2008) |
| 2008/05 |
Si基板上減圧MOCVD成長AlxGa1-xNの諸特性
広森公一、石川博康、十倉史行、嶋中啓太、森直人、森本智彦
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広森公一;石川博康;十倉史行;嶋中啓太;森直人;森本智彦 |
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| 2008/03 |
In-situメルトバックエッチングを施したSi基板上GaN
石川博康、十倉史行、嶋中啓太
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石川博康;十倉史行;嶋中啓太 |
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| 2008/03 |
４インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の多層膜構造検討による厚膜化
鈴江隆晃、寺田豊、伊藤統夫、石川博康、江川孝志
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鈴江隆晃;寺田豊;伊藤統夫;石川博康;江川孝志 |
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| 2008/03 |
MOCVD法によるSi(110)基板上へのGaN成長
嶋中啓太、広森公一、森直人、石川博康
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嶋中啓太;広森公一;森直人;石川博康 |
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| 2007/12 |
MOCVD法によるポーラスSi基板上GaNの諸特性
嶋中啓太、石川博康、十倉史行、林靖彦、原陽介、中西正美
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嶋中啓太;石川博康;十倉史行;林靖彦;原陽介;中西正美 |
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| 2007/11 |
ポーラスSi基板上GaNの諸特性
嶋中啓太、石川博康、十倉史行、林靖彦、原陽介、中西正美
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嶋中啓太;石川博康;十倉史行;林靖彦;原陽介;中西正美 |
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| 2007/10 |
4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討
寺田豊、鈴江隆晃、石川博康、江川孝志
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寺田豊;鈴江隆晃;石川博康;江川孝志 |
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| 2007/09 |
ポーラスSi基板上へのGaNのMOCVD成長
石川博康、嶋中啓太、十倉史行、林靖彦、原陽介、中西正美
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石川博康;嶋中啓太;十倉史行;林靖彦;原陽介;中西正美 |
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| 2007/09 |
GaInN Light Emitting Diodes with Lattice-Matched AlInN/GaN Distributed Bragg Reflector on Si
H. Ishikawa,T. Jimbo,T. Egawa
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H. Ishikawa,T. Jimbo,T. Egawa |
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7th International Conference of Nitride Semiconductors (Las Vegas, Sept. 16-21, 2007) |
| 2007/09 |
Si基板上Pd/GaN縦型ショットキーダイオードにおける結晶欠陥と電気的特性との相関
石川博康、十倉史行、神保孝志、江川孝志
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石川博康;十倉史行;神保孝志;江川孝志 |
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| 2007/03 |
AlN template上ソーラーブラインドAlGan p-i-n型光センサ
十倉史行、ジャンハオ、石川博康、江川孝志
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十倉史行;ジャンハオ;石川博康;江川孝志 |
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| 2006/10 |
Realization of normally-off quaternary AlInGaN/GaN HEMT on sapphire substrate
Y. Liu,T. Egawa,H. Jiang,M. Hayashi,H. Ishikawa
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Y. Liu,T. Egawa,H. Jiang,M. Hayashi,H. Ishikawa |
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International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (Kyoto, Oct. 22-27, 2006) |
| 2006/08 |
AlNテンプレート上高効率AlGaN紫外線センサ
十倉史行、ジャンハオ、江川孝志、石川博康
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十倉史行;ジャンハオ;江川孝志;石川博康 |
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| 2006/08 |
4インチSi基板上AlGaN/GaN HEMT構造の検討
寺田豊、伊藤統夫、石川博康、江川孝志
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寺田豊;伊藤統夫;石川博康;江川孝志 |
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| 2006/03 |
4インチSi基板上AlGaN/GaN HEMT構造の検討－GaN/AlN多層膜依存性－
寺田豊、山本幸太郎、鈴木啓之、石川博康、江川孝志
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寺田豊;山本幸太郎;鈴木啓之;石川博康;江川孝志 |
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| 2006/03 |
AlNテンプレート上高効率AlGaN紫外線センサ
十倉史行、ジャンハオ、江川孝志、石川博康
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十倉史行;ジャンハオ;江川孝志;石川博康 |
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| 2006/03 |
Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価
種村哲平、片山義章、石川博康、江川孝志
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種村哲平;片山義章;石川博康;江川孝志 |
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| 2006/03 |
AlGaN/GaN HFETの電気特性に対するGaNキャップ層成長温度の影響
出口忠義、山下明一、脇英司、中川敦、石川博康、江川孝志
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出口忠義;山下明一;脇英司;中川敦;石川博康;江川孝志 |
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| 2006/01 |
リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT
見田充郎、海部勝晶、伊藤正紀、佐野芳明、石川博康、江川孝志
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見田充郎;海部勝晶;伊藤正紀;佐野芳明;石川博康;江川孝志 |
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| 2006/01 |
低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET
出口忠義、脇英司、小野悟、山下明一、鎌田厚、中川敦石川博康、江川孝志
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出口忠義;脇英司;小野悟;山下明一;鎌田厚;中川敦石川博康;江川孝志 |
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| 2005/10 |
Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価
片山義章、石川博康、江川孝志
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片山義章;石川博康;江川孝志 |
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| 2005/10 |
GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaN ヘテロ接合トランジスタ
中澤敏志、上田哲三、井上薫、田中毅、石川博康、江川孝志
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中澤敏志;上田哲三;井上薫;田中毅;石川博康;江川孝志 |
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| 2005/05 |
MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討
石川博康、日比野聡彦、江川孝志
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石川博康;日比野聡彦;江川孝志 |
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| 2005/05 |
CBE法によるH*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果
三戸一矢、山森雅之、石川博康、江川孝志
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三戸一矢;山森雅之;石川博康;江川孝志 |
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| 2005/04 |
エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT
三好実人、今西敦、石川博康、江川孝志、浅井圭一郎、柴田智彦、田中光浩、小田修
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三好実人;今西敦;石川博康;江川孝志;浅井圭一郎;柴田智彦;田中光浩;小田修 |
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| 2005/03 |
UID-GaNチャネル層の薄層化によるAlGaN/GaN-HEMTの高耐圧化
大来英之、見田充朗、海部勝晶、戸田典彦、伊藤正紀、佐野芳明、石川博康、江川孝志
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大来英之;見田充朗;海部勝晶;戸田典彦;伊藤正紀;佐野芳明;石川博康;江川孝志 |
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| 2005/03 |
低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETのRF特性評価
脇英司、小野悟、出口忠義、中川敦、石川博康、江川孝志
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脇英司;小野悟;出口忠義;中川敦;石川博康;江川孝志 |
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| 2005/03 |
4インチSi基板上AlGaN/GaN HEMT構造の検討 -AlGaN中間層依存、バリアAl組成依存性-
山本幸太郎、松井慎一、石川博康、江川孝志
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山本幸太郎;松井慎一;石川博康;江川孝志 |
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| 2005/03 |
Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの放熱特性の評価
片山義章、S. Arulkumaran、石川博康、江川孝志
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片山義章;S. Arulkumaran;石川博康;江川孝志 |
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| 2005/01 |
高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討
伊藤正紀、海部勝晶、見田充郎、大来英之、大来英之、佐野芳明、関昇平、石川博康、江川孝志
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伊藤正紀;海部勝晶;見田充郎;大来英之;大来英之;佐野芳明;関昇平;石川博康;江川孝志 |
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| 2005/01 |
100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT
三好実人、今西敦、石川博康、江川孝志、浅井圭一郎、柴田智彦、田中光浩、小田修
|
三好実人;今西敦;石川博康;江川孝志;浅井圭一郎;柴田智彦;田中光浩;小田修 |
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| 2004/12 |
GaN-based light-emitting diodes on Si substrates
H. Ishikawa,T. Egawa
|
H. Ishikawa,T. Egawa |
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The 3rd International Workshop on Industrial Technologies for Optoelectronic Semiconductors (Gwangju, Dec. 2-3, 2004) |
| 2004/11 |
窒化ガリウム系化合物半導体と青色発光ダイオード |
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| 2004/09 |
MOVPE法による100mm系AlN/サファイアテンプレート上への高電子移動度AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造の作製
三好実人、石川博康、江川孝志、浅井圭一郎 、毛利光宏、柴田智彦、田中光浩、小田修
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三好実人;石川博康;江川孝志;浅井圭一郎 ;毛利光宏;柴田智彦;田中光浩;小田修 |
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| 2004/09 |
低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善
脇英司、小野悟、出口忠義、中川敦、石川博康、江川孝志
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脇英司;小野悟;出口忠義;中川敦;石川博康;江川孝志 |
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| 2004/09 |
AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー－－SiCとサファイア基板との比較－－
塩島謙次、牧村隆史、小杉末広、重川直輝、江川孝志、石川博康
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塩島謙次;牧村隆史;小杉末広;重川直輝;江川孝志;石川博康 |
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| 2004/09 |
四元混晶AlInGaNを用いたヘテロ構造の特性評価
坂井正宏、今西敦、江川孝志、石川博康
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坂井正宏;今西敦;江川孝志;石川博康 |
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| 2004/09 |
Si(111)基板上AlGaN HEMTの特性評価
片山義章、S. Arulkumaran、石川博康、江川孝志
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片山義章;S. Arulkumaran;石川博康;江川孝志 |
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| 2004/09 |
AlGaN/GaN HEMTのしきい値電圧評価 －ミクロ分布－
佐野芳明、見田充朗、海部勝晶、伊藤正紀、石川博康、江川孝志
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佐野芳明;見田充朗;海部勝晶;伊藤正紀;石川博康;江川孝志 |
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| 2004/09 |
4 inch Si基板上AlGaN/GaN HEMTにおけるAlNバッファ層膜厚の影響
松井慎一、山本幸太郎、石川博康、江川孝志
|
松井慎一;山本幸太郎;石川博康;江川孝志 |
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| 2004/05 |
MOVPE Growth and Characterization of High-Al-Content AlxGa1-xN/GaN Heterostructures for High-Power HEMTs on 100-mm-Diameter
Sapphire Substrates
M. Miyoshi,M. Sakai,S. Arulkumaran,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo,M. Tanaka,O. Oda
|
M. Miyoshi,M. Sakai,S. Arulkumaran,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo,M. Tanaka,O. Oda |
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12th International Conference on Metal Organic Chemical Vapor Phase Epitaxy (Maui, May 30-June 4, 2004) |
| 2004/05 |
GaN-based Optoelectronic Devices on Si grown by MOCVD
H. Ishikawa, T. Egawa
|
H. Ishikawa, T. Egawa |
|
|
State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors XL Symposium, The 205th Meeting of The Electrochemical Society (San Antonio,
May 9-13, 2004)
|
| 2004/05 |
High-Temperature-Grown High-Quality Quaternary AlInGaN Quantum Well Structure for Ultraviolet Application
Y. Liu,T. Egawa,H. Ishikawa,H. Jiang,B. Zhang,M. Hao
|
Y. Liu,T. Egawa,H. Ishikawa,H. Jiang,B. Zhang,M. Hao |
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|
12th International Conference on Metal Organic Chemical Vapor Phase Epitaxy (Maui, May 30-June 4, 2004) |
| 2004/05 |
Characterizations of GaInN Light Emitting Diodes with Distributed Bragg Reflector Grown on Si
H. Ishikawa,B. Zhang,K. Asano,T. Egawa,T. Jimbo
|
H. Ishikawa,B. Zhang,K. Asano,T. Egawa,T. Jimbo |
|
|
12th International Conference on Metal Organic Chemical Vapor Phase Epitaxy (Maui, May 30-June 4, 2004) |
| 2004/03 |
Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価
青山隆史、片山義章、サブラマニアムアルルクマラン、石川博康、江川孝志、神保孝志
|
青山隆史;片山義章;サブラマニアムアルルクマラン;石川博康;江川孝志;神保孝志 |
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| 2004/03 |
GaN-HEMTにおける電流コラプスの熱処理効果
鷺森友彦、佐野芳明、見田充朗、海部勝晶、石川博康、江川孝志
|
鷺森友彦;佐野芳明;見田充朗;海部勝晶;石川博康;江川孝志 |
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| 2004/03 |
III-V族窒化物半導体多層膜反射鏡を用いたSi基板上InGaN系LEDの特性改善
浅野健太、加賀弘晃、石川博康江川孝志、神保孝志
|
浅野健太;加賀弘晃;石川博康江川孝志;神保孝志 |
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| 2004/03 |
DBRを有するSi基板上GaN系LEDの構造検討
石川博康、浅野健太、張佰君、江川孝志、神保孝志
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石川博康;浅野健太;張佰君;江川孝志;神保孝志 |
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| 2004/03 |
GaN films and GaN-based light emitting diodes grown on the sapphire substrates with high-density nano-craters formed in situ
metalorganic vapor phase epitaxial reactor
M. Hao,H. Ishikawa,B. Zhang,T. Egawa
|
M. Hao,H. Ishikawa,B. Zhang,T. Egawa |
|
|
The 5th International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (Gyeongju, March 15-19, 2004) |
| 2004/03 |
100mm径サファイア上への高Al組成AlGaN/GaN HEMTの作製とその特性評価
三好実人、坂井正宏、S. Arulkumaran、石川博康、江川孝志、田中光浩、勝川裕幸、小田修
|
三好実人;坂井正宏;S. Arulkumaran;石川博康;江川孝志;田中光浩;勝川裕幸;小田修 |
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| 2004/03 |
Improved characteristics of GaN-based light emitting diode by distributed Bragg reflector grown on Si
H. Ishikawa,K. Asano,B. Zhang,T. Egawa,T. Jimbo
|
H. Ishikawa,K. Asano,B. Zhang,T. Egawa,T. Jimbo |
|
|
The 5th International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (Gyeongju, March 15-19, 2004) |
| 2004/03 |
4 inch Si基板上AlGaN/GaN HEMTにおけるAlNスペーサ層の影響
松井慎一、加藤正博、石川博康、江川孝志
|
松井慎一;加藤正博;石川博康;江川孝志 |
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| 2004/03 |
Al濃度傾斜型Al0.33→0GaN層を用いたAlGaN/GaN層を用いたAlGaN/GaN HEMTの特性
佐野芳明、見田充朗、海部勝晶、大来英之、石川博康、江川孝志
|
佐野芳明;見田充朗;海部勝晶;大来英之;石川博康;江川孝志 |
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| 2004/03 |
AlGaN/AlN/GaN HEMTの特性評価
今西敦、石川博康、江川孝志、神保孝志
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今西敦;石川博康;江川孝志;神保孝志 |
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| 2004/03 |
MOCVD法によるサファイア基板上AlGaN/GaN HEMTにおけるAlNスペーサ層の影響
日比野聡彦、石川博康、江川孝志、神保孝志
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日比野聡彦;石川博康;江川孝志;神保孝志 |
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| 2004/01 |
Metal-semiconductor-metal UV photodetectors fabricated on undoped AlGaN/GaN HEMMT structure
H Jiang, T Egawa, H Ishikawa, C Shao, T Jimbo
|
H Jiang, T Egawa, H Ishikawa, C Shao, T Jimbo |
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PROCEEDINGS OF THE 2004 CHINA-JAPAN JOINT MEETING ON MICROWAVES |
| 2003/10 |
段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化
石田昌宏、油利正昭、上田大助、石川博康、江川孝志
|
石田昌宏;油利正昭;上田大助;石川博康;江川孝志 |
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| 2003/10 |
MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成AlxGa1-xN/GaN HEMT
三好実人、坂井正宏、石川博康、江川孝志、神保孝志、田中光浩小田修、勝川裕幸
|
三好実人;坂井正宏;石川博康;江川孝志;神保孝志;田中光浩小田修;勝川裕幸 |
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| 2003/10 |
高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT
見田充朗、大来英之、海部勝晶、山田朋幸、佐野芳明、佐野芳明、江川孝志、石川博康
|
見田充朗;大来英之;海部勝晶;山田朋幸;佐野芳明;佐野芳明;江川孝志;石川博康 |
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| 2003/10 |
MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長
石川博康、加藤正博、青山隆史、松井慎一、M. S. Hao、江川孝志、神保孝志
|
石川博康;加藤正博;青山隆史;松井慎一;M. S. Hao;江川孝志;神保孝志 |
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| 2003/10 |
n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性
南條拓真、三浦成久、大石敏之、吹田宗義、阿部雄次、尾関龍夫、石川博康、江川孝志
|
南條拓真;三浦成久;大石敏之;吹田宗義;阿部雄次;尾関龍夫;石川博康;江川孝志 |
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| 2003/09 |
中間層を用いたAlGaN/GaN HEMT構造の反り低減効果(II)
坂井正宏、江川孝志、石川博康、神保孝志
|
坂井正宏;江川孝志;石川博康;神保孝志 |
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| 2003/09 |
GaN基板上ホモエピタキシャルGaN結晶の特性評価
浅野健太、石川博康、江川孝志、神保孝志、塩島謙次、重川直輝
|
浅野健太;石川博康;江川孝志;神保孝志;塩島謙次;重川直輝 |
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| 2003/09 |
4 inch Si基板上AlGaN/GaNシングルへテロ構造の諸特性
加藤正博、石川博康、江川孝志、神保孝志
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加藤正博;石川博康;江川孝志;神保孝志 |
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| 2003/09 |
AlGaN/GaN HEMTにおけるパッシベーション効果
今西敦、スブラマニヤンアルルクマラン、石川博康、江川孝志、神保孝志
|
今西敦;スブラマニヤンアルルクマラン;石川博康;江川孝志;神保孝志 |
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| 2003/09 |
MOCVD法によるサファイア基板上AlGaN/GaN HEMTの成長圧力依存性
日比野聡彦、浅野健太、石川博康、江川孝志、神保孝志
|
日比野聡彦;浅野健太;石川博康;江川孝志;神保孝志 |
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| 2003/09 |
100mm径サファイア上AlGaN/GaN HEMTのDC特性
三好実人、石川博康、江川孝志、神保孝志
|
三好実人;石川博康;江川孝志;神保孝志 |
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| 2003/09 |
熱処理されたNi/Pt/Auショットキー電極を用いたAlGaN/GaN HEMT
南條拓真、三浦成久、大石敏之、吹田宗義、阿部雄次、尾関龍夫、石川博康、江川孝志
|
南條拓真;三浦成久;大石敏之;吹田宗義;阿部雄次;尾関龍夫;石川博康;江川孝志 |
|
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| 2003/09 |
高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HFET
見田充朗、大来英之、海部勝晶、山田朋幸、佐野芳明、江川孝志、石川博康、神保孝志
|
見田充朗;大来英之;海部勝晶;山田朋幸;佐野芳明;江川孝志;石川博康;神保孝志 |
|
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| 2003/08 |
4インチSi基板上GaNの湾曲測定
石川博康、加藤正博、M.S. Hao、江川孝志、神保孝志
|
石川博康;加藤正博;M.S. Hao;江川孝志;神保孝志 |
|
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| 2003/05 |
Effects of temperature on leakage current in AlGaN/GaN HEMTs
S. Arulkumaran,T. Egawa,H. Ishikawa,T. Jimbo
|
S. Arulkumaran,T. Egawa,H. Ishikawa,T. Jimbo |
|
|
5th International Conference on Nitride Semiconductors (Nara, May 25-30, 2003) |
| 2003/05 |
Reduction of the bowing in MOVPE AlGaN/GaN HEMT structures by using an interlayer insertion method
M. Sakai,T. Egawa,H. Ishikawa,T. Jimbo
|
M. Sakai,T. Egawa,H. Ishikawa,T. Jimbo |
|
|
5th International Conference on Nitride Semiconductors (Nara, May 25-30, 2003) |
| 2003/05 |
High Trans-conductance AlGaN/GaN-HEMT with Recessed Gate on Sapphire Substrate
H. Okita,K. Kaifu,J. Mita,T. Yamada,Y. Sano,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo
|
H. Okita,K. Kaifu,J. Mita,T. Yamada,Y. Sano,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo |
|
|
5th International Conference on Nitride Semiconductors (Nara, May 25-30, 2003) |
| 2003/05 |
InGaN multiple-quantum-well light-emitting diodes on an AlN/sapphire template by metalorganic chemical vapor deposition
B. Zhang,T. Egawa,H. Ishikawa,H. Ohmura,T. Jimbo
|
B. Zhang,T. Egawa,H. Ishikawa,H. Ohmura,T. Jimbo |
|
|
5th International Conference on Nitride Semiconductors (Nara, May 25-30, 2003) |
| 2003/05 |
Composition pulling effect in the InGaN/GaN multiple quantum well and its effect on photoluminescence
M. Hao,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo
|
M. Hao,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo |
|
|
5th International Conference on Nitride Semiconductors (Nara, May 25-30, 2003) |
| 2003/05 |
High-quality Quaternary AlInGaN Epilayers on Sapphire
Y. Liu,T. Egawa,H. Ishikawa,T. Jimbo
|
Y. Liu,T. Egawa,H. Ishikawa,T. Jimbo |
|
|
5th International Conference on Nitride Semiconductors (Nara, May 25-30, 2003) |
| 2003/05 |
Growth of 100-mm-diameter AlGaN/GaN Heterostructures on Sapphire Substrates by MOVPE
M. Miyoshi,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo
|
M. Miyoshi,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo |
|
|
5th International Conference on Nitride Semiconductors (Nara, May 25-30, 2003) |
| 2003/05 |
Growth of GaN on 4-inch Si substrates with a thin AlGaN/AlN intermediate layer
H. Ishikawa,M. Kato,M.S. Hao,T. Egawa,T. Jimbo
|
H. Ishikawa,M. Kato,M.S. Hao,T. Egawa,T. Jimbo |
|
|
5th International Conference on Nitride Semiconductors (Nara, May 25-30, 2003) |
| 2003/03 |
サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造のAlN混晶比依存性
浅野健太、石川博康、江川孝志、神保孝志、塩島謙次、重川直輝
|
浅野健太;石川博康;江川孝志;神保孝志;塩島謙次;重川直輝 |
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| 2003/03 |
中間層を用いたAlGaN/GaN HEMT構造の反り低減効果
坂井正宏、江川孝志、石川博康、神保孝志
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坂井正宏;江川孝志;石川博康;神保孝志 |
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| 2003/03 |
MOVPEによる100mm系サファイア基板上AlGaN/GaNヘテロ構造の成長
三好実人、石川博康、江川孝志、神保孝志
|
三好実人;石川博康;江川孝志;神保孝志 |
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| 2003/03 |
Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価
青山隆史、石川博康、江川孝志
|
青山隆史;石川博康;江川孝志 |
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| 2003/03 |
リセスゲートGaN-HEMTにおけるゲートオフセット効果
見田充朗、大来英之、海部勝晶、山田朋幸、佐野芳明、江川孝志、石川博康、神保孝志
|
見田充朗;大来英之;海部勝晶;山田朋幸;佐野芳明;江川孝志;石川博康;神保孝志 |
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| 2003/03 |
段差上成長によるAlNテンプレート上AlGaNの低欠陥化
石田昌宏、油利正昭、上田大助、石川博康、江川孝志
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石田昌宏;油利正昭;上田大助;石川博康;江川孝志 |
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| 2003/03 |
AlGaN/AlN中間層を用いた4inch Si基板上のGaNの成長
加藤正博、石川博康、江川孝志、神保孝志
|
加藤正博;石川博康;江川孝志;神保孝志 |
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| 2003/01 |
Si上GaN系高輝度発光ダイオード
石川博康、鈴木智久、江川孝志、神保孝志
|
石川博康;鈴木智久;江川孝志;神保孝志 |
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| 2002/09 |
Znイオン注入によるAlGaN/GaN HEMTの素子分離検討
三浦成久、吹田宗義、南條拓真、阿部雄次、尾関龍夫、石川博康、江川孝志、神保孝志
|
三浦成久;吹田宗義;南條拓真;阿部雄次;尾関龍夫;石川博康;江川孝志;神保孝志 |
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| 2002/09 |
AlN/Si基板界面のバンド不連続量の測定
石川博康、鈴木智久、江川孝志、神保孝志
|
石川博康;鈴木智久;江川孝志;神保孝志 |
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| 2002/09 |
Drain-current collapse in AlGaN/GaN HEMTs on sapphire and semi-insulating SiC substrates
S. Arulkumaran,T. Egawa,H. Ishikawa,T. Jimbo
|
S. Arulkumaran,T. Egawa,H. Ishikawa,T. Jimbo |
|
|
The 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials (Nagoya, Sept. 17-19) |
| 2002/09 |
サファイア及びSI-SiC基板上AlGaN/GaN HEMTのドレイン電流コラプス
市川智士、石川博康、江川孝志、神保孝志
|
市川智士;石川博康;江川孝志;神保孝志 |
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| 2002/09 |
ICP-RIE処理によるGaN-HEMTウェハの表面ダメージ
田毅彦、海部勝晶、見田充朗、佐野芳明、江川孝志、石川博康、神保孝志
|
田毅彦;海部勝晶;見田充朗;佐野芳明;江川孝志;石川博康;神保孝志 |
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| 2002/09 |
n-GaN/Ni/Pt/AuショットキーダイオードのRTA特性
三浦成久、大石敏之、吹田宗義、阿部雄次、高見哲也、尾関龍夫、石川博康、江川孝志、神保孝志
|
三浦成久;大石敏之;吹田宗義;阿部雄次;高見哲也;尾関龍夫;石川博康;江川孝志;神保孝志 |
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| 2002/09 |
Moを用いたAlGaN/GaN HEMTのオーミック電極検討
吹田宗義、大石敏之、三浦成久、南條拓真、阿部雄次、尾関龍夫、石川博康、江川孝志、神保孝志
|
吹田宗義;大石敏之;三浦成久;南條拓真;阿部雄次;尾関龍夫;石川博康;江川孝志;神保孝志 |
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| 2002/09 |
リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTにおけるAl濃度と特性の関係
鷺森友彦、海部勝晶、見田充朗、山田朋幸、佐野芳明、江川孝志、石川博康、神保孝志
|
鷺森友彦;海部勝晶;見田充朗;山田朋幸;佐野芳明;江川孝志;石川博康;神保孝志 |
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| 2002/09 |
2?h×3スケール大気圧横型GaN-MOCVD装置の性能評価
阿久津仲男、江川孝志、石川博康、M.S. Hao、神保孝志
|
阿久津仲男;江川孝志;石川博康;M.S. Hao;神保孝志 |
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| 2002/09 |
4H-SiC基板上AlGaN/GaN HEMT構造のAlN中間層厚依存性
浅野健太、石川博康、江川孝志、神保孝志
|
浅野健太;石川博康;江川孝志;神保孝志 |
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| 2002/06 |
エピタキシャルAlN/Sapphireテンプレート上に成長したInGaN系LEDの評価
大村浩嘉、石川博康、江川孝志、神保孝志、増井寛二
|
大村浩嘉;石川博康;江川孝志;神保孝志;増井寛二 |
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| 2002/06 |
PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性
廣瀬裕、池田義人、正戸宏幸、井上薫、石川博康、江川孝志、神保孝志
|
廣瀬裕;池田義人;正戸宏幸;井上薫;石川博康;江川孝志;神保孝志 |
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| 2002/06 |
4H-SiC基板上AlGaN/GaNヘテロ構造の特性と電子デバイス応用
石川博康、市川智士、S. Arulkumaran、張佰君、江川孝志、神保孝志
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石川博康;市川智士;S. Arulkumaran;張佰君;江川孝志;神保孝志 |
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| 2002/06 |
MOVPE法のよるエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価
坂井正宏、浅野健太、S. Arulkumaran、石川博康、江川孝志、神保孝、志柴田智彦、田中光浩、小田修
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坂井正宏;浅野健太;S. Arulkumaran;石川博康;江川孝志;神保孝;志柴田智彦;田中光浩;小田修 |
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| 2002/03 |
エピタキシャルAlN/サファイア上AlGaN/GaN HEMT構造の作製
坂井正宏、浅野健太、石川博康、江川孝志、神保孝志、浅井圭一郎、角谷茂明、田中光浩、小田修
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坂井正宏;浅野健太;石川博康;江川孝志;神保孝志;浅井圭一郎;角谷茂明;田中光浩;小田修 |
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| 2002/03 |
4H-SiC基板上AlGaN/GaN HEMT構造の評価
市川智士、石川博康、江川孝志、神保孝志
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市川智士;石川博康;江川孝志;神保孝志 |
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| 2002/03 |
AlGaN/GaNヘテロ構造ショットキー障壁フォトディテクター
青山隆史、奥井昭博、石川博康、邵春林、江川孝志、神保孝志
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青山隆史;奥井昭博;石川博康;邵春林;江川孝志;神保孝志 |
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| 2002/03 |
AlGaN/AlN中間層を用いたSi基板上GaInN量子井戸の諸特性
石川博康、西川直宏、江川孝志、神保孝志
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石川博康;西川直宏;江川孝志;神保孝志 |
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| 2002/03 |
Growth and Characterization of Quaternary AlInGaN Epilayers on Sapphire
Y. Liu,M. Mori,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo
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Y. Liu,M. Mori,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo |
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2002年春季第49回応用物理学関係連合講演会、東海大学湘南校舎 |
| 2002/03 |
AlGaN/GaN HEMT用低抵抗オーミックコンタクト
高橋正輝、石川博康、江川孝志、神保孝志
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高橋正輝;石川博康;江川孝志;神保孝志 |
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| 2001/11 |
AlGaN/GaN構造を用いた高電子移動度トランジスター
江川孝志、○石川博康、神保孝志
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江川孝志;○石川博康;神保孝志 |
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| 2001/10 |
Orange GaInN/GaN Multi-Quantum-Well Light-Emitting Diodes using a Post-Annealing Technique
H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo
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H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo |
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28th International Symposium on Compound Semiconductors (Tokyo, Oct. 1-4, 2001) |
| 2001/09 |
Studies of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Semi-Insulating Silicon Carbide and Sapphire Substrates
S. Arulkumaran,T. Egawa,H. Ishikawa,T. Jimbo
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S. Arulkumaran,T. Egawa,H. Ishikawa,T. Jimbo |
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The 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials (Tokyo, Sept. 26-28) |
| 2001/09 |
MOCVD法によるGaN系面発光レーザ用GaN/AlGaN DBRへのSiドーピング
中田尚幸、石黒靖浩、石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
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中田尚幸;石黒靖浩;石川博康;江川孝志;神保孝志;梅野正義 |
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| 2001/06 |
Excellent DC characteristics of HEMTs on semi-insulating silicon carbide substrate
S. Arulkumaran,T. Egawa,G. Zhao,H. Ishikawa,M. Umeno
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S. Arulkumaran,T. Egawa,G. Zhao,H. Ishikawa,M. Umeno |
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59th Annual Device Research Conference (Notre Dame, June 25-27) |
| 2001/06 |
High Performance AlGaN/GaN HEMTs with Recessed Gate on Sapphire Substrate
Y. Sano,T. Yamada,J. Mita,K. Kaifu,H. Ishikawa,T. Egawa,M. Umeno
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Y. Sano,T. Yamada,J. Mita,K. Kaifu,H. Ishikawa,T. Egawa,M. Umeno |
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59th Annual Device Research Conference (Notre Dame, June 25-27) |
| 2001/03 |
サファイア基板上GaN共振器端面の光励起による評価
岸直希、石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
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岸直希;石川博康;江川孝志;神保孝志;梅野正義 |
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| 2001/03 |
CAICISS法によるGaN薄膜の表面構造解析
佐原徹、楮原幹大、後藤勝由、安部功二、江龍修、中嶋堅志郎、石川博康、江川孝志、梅野正義
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佐原徹;楮原幹大;後藤勝由;安部功二;江龍修;中嶋堅志郎;石川博康;江川孝志;梅野正義 |
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| 2001/03 |
AlGaN/GaN中間層を用いたSi基板上GaNのX線回折測定
石川博康、足立雅和、趙廣元、江川孝志、神保孝志、梅野正義
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石川博康;足立雅和;趙廣元;江川孝志;神保孝志;梅野正義 |
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| 2001/03 |
窒化物半導体のMOCVD成長と高周波デバイス特性
梅野正義、江川孝志、石川博康
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梅野正義;江川孝志;石川博康 |
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| 2001/03 |
Si基板上InGaN MQW LEDの作製
西川直宏、足立雅和、石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
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西川直宏;足立雅和;石川博康;江川孝志;神保孝志;梅野正義 |
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| 2001/03 |
MOCVD法によるGaN系面発光レーザ用高反射率GaN/AlGaN DBRの作製
中田尚幸、石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
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中田尚幸;石川博康;江川孝志;神保孝志;梅野正義 |
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| 2001/03 |
TiO2/SiO2誘電体多層膜反射鏡を用いたサファイア基板上InGaN MQW LEDの高輝度化
石黒靖浩、中田尚幸、石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
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石黒靖浩;中田尚幸;石川博康;江川孝志;神保孝志;梅野正義 |
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| 2001/03 |
GaInN多重量子井戸のフォトルミネッセンス特性
森正義、石川博康、江川孝志、神保孝志、増井寛二、梅野正義
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森正義;石川博康;江川孝志;神保孝志;増井寛二;梅野正義 |
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| 2000/12 |
Schottky contacts of Ni/Au on n-GaN grown on sapphire and SiC substrates
B. J. Zhang,G. Y. Zhao,N. Nishikawa,M. Adachi,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo,M. Umeno
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B. J. Zhang,G. Y. Zhao,N. Nishikawa,M. Adachi,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo,M. Umeno |
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SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会 第9回講演会予稿集 |
| 2000/12 |
リセスゲートを用いたサファイア基板上AlGaN/GaN HEMT
梅野正義、江川孝志、石川博康
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梅野正義;江川孝志;石川博康 |
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| 2000/12 |
サファイア基板上AlxGa1-xNのショットキー特性
大野彰仁、石川博康、江川孝志、神保孝志、坂本功、梅野正義
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大野彰仁;石川博康;江川孝志;神保孝志;坂本功;梅野正義 |
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| 2000/12 |
GaInN多重量子井戸のフォトルミネッセンス特性
森正義、石川博康、江川孝志、神保孝志、増井寛二、梅野正義
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森正義;石川博康;江川孝志;神保孝志;増井寛二;梅野正義 |
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| 2000/12 |
High resposivity MSM UV photodetector based on GaN with back illumination
H. Jiang,N. Nakada,G. Y. Zhao,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo,M. Umeno
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H. Jiang,N. Nakada,G. Y. Zhao,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo,M. Umeno |
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SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会 第9回講演会予稿集 |
| 2000/12 |
同軸型直衝突イオン散乱分光法によるウルツ型GaN(0001)薄膜の表面構造解析
佐原徹、楮原幹大、安部功二、江龍修、中嶋堅志郎、石川博康、江川孝志、梅野正義
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佐原徹;楮原幹大;安部功二;江龍修;中嶋堅志郎;石川博康;江川孝志;梅野正義 |
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| 2000/12 |
TiO2/SiO2誘電体多層膜反射鏡を用いたサファイア基板上InGaN MQW LEDの高出力化
石黒靖浩、中田尚幸、石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
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石黒靖浩;中田尚幸;石川博康;江川孝志;神保孝志;梅野正義 |
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| 2000/12 |
MOCVD成長中におけるSi基板上GaNのメルトバックエッチング
石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
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石川博康;江川孝志;神保孝志;梅野正義 |
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| 2000/12 |
GaN系面発光レーザ用GaN/AlGaN DBR
中田尚幸、石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
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中田尚幸;石川博康;江川孝志;神保孝志;梅野正義 |
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| 2000/12 |
サファイア基板上GaInN MQWレーザの光励起特性
岸直希、石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
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岸直希;石川博康;江川孝志;神保孝志;梅野正義 |
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| 2000/09 |
Fabrication of GaInN multiple-quantum well LEDs on Si (111) by MOCVD
M. Adachi,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo,M. Umeno
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M. Adachi,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo,M. Umeno |
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|
International Workshop on Nitride Semiconductors (Nagoya, Sept. 24-27, 2000) |
| 2000/09 |
リセスゲートを有する高gm AlGaN/GaN HEMT
見田充朗、山田朋幸、海部勝晶、佐野芳明、石川博康、江川孝志、梅野正義
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見田充朗;山田朋幸;海部勝晶;佐野芳明;石川博康;江川孝志;梅野正義 |
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| 2000/09 |
GaInN/GaN多重量子井戸を有するGaN系LED構造の検討
石川博康、中田尚幸、趙廣元、森正義、江川孝志、神保孝志、梅野正義
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石川博康;中田尚幸;趙廣元;森正義;江川孝志;神保孝志;梅野正義 |
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| 2000/09 |
有機金属気相成長法を用いたSi基板上GaN MESFETの作製
江川孝志、趙廣元、石川博康、神保孝志、梅野正義
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江川孝志;趙廣元;石川博康;神保孝志;梅野正義 |
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| 2000/09 |
Thermal stability of Pd/Al0.11Ga0.89N Schottky diodes
S. Arulkumaran,T. Egawa,H. Ishikawa,T. Jimbo,M. Umeno
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S. Arulkumaran,T. Egawa,H. Ishikawa,T. Jimbo,M. Umeno |
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|
International Workshop on Nitride Semiconductors (Nagoya, Sept. 24-27, 2000) |
| 2000/09 |
Bonding of GaN with Si using SeS2 and Laser Lift-off
J. Arokiaraj,H. Ishikawa,T. Soga, T. Egawa,T. Jimbo,M. Umeno
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J. Arokiaraj,H. Ishikawa,T. Soga, T. Egawa,T. Jimbo,M. Umeno |
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International Workshop on Nitride Semiconductors (Nagoya, Sept. 24-27, 2000) |
| 2000/03 |
Effect of RIE Damage to Blue and Green Light Emitting Diodes
N. Nakada,M. Nakaji,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo,M. Umeno
|
N. Nakada,M. Nakaji,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo,M. Umeno |
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Third International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (Berlin, March 6-10, 2000) |
| 2000/03 |
電子デバイスと応用（高温高周波高出力化）
梅野正義、江川孝志、石川博康
|
梅野正義;江川孝志;石川博康 |
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| 2000/02 |
InGaN Light Emitting Diode with GaN/AlGaN Distributed Bragg Reflector
N. Nakada,M. Nakaji,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo,M. Umeno
|
N. Nakada,M. Nakaji,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo,M. Umeno |
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|
International Symposium on Ultra-Parallel Optoelectronics (Kawasaki, Feb. 3-4, 2000) |
| 2000/01 |
Bonding of GaN with Si using selenium sulphide (SeS2) and laser lift-off
J Arokiaraj, H Ishikawa, T Soga, T Egawa, T Jimbo, M Umeno
|
J Arokiaraj, H Ishikawa, T Soga, T Egawa, T Jimbo, M Umeno |
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PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS |
| 1999/11 |
Si基板上GaNのMOCVD成長
石川博康、江川孝志、曽我哲夫、神保孝志、梅野正義
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石川博康;江川孝志;曽我哲夫;神保孝志;梅野正義 |
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| 1999/10 |
リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN MODFETの諸特性
江川孝志、石川博康、趙廣元、神保孝志、梅野正義
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江川孝志;石川博康;趙廣元;神保孝志;梅野正義 |
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| 1999/09 |
RIEによるGaN表面に与える影響
中路雅晴、石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
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中路雅晴;石川博康;江川孝志;神保孝志;梅野正義 |
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| 1999/09 |
Si基板上GaNの成長（３）－高融点中間層の成長－
石川博康、趙廣元、江川孝志、曽我哲夫、神保孝志、梅野正義
|
石川博康;趙廣元;江川孝志;曽我哲夫;神保孝志;梅野正義 |
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| 1999/09 |
High-Quality InGaN Light Emitting Diode Grown on GaN/AlGaN Distributed Bragg Reflector
N. Nakada,M. Nakaji,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo,M. Umeno
|
N. Nakada,M. Nakaji,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo,M. Umeno |
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The 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials (Tokyo, Sept. 21-24) |
| 1999/09 |
GaN/AlGaN多層膜反射鏡を用いたInGaN MQW LEDの特性改善
中田尚幸、中路雅晴、石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
|
中田尚幸;中路雅晴;石川博康;江川孝志;神保孝志;梅野正義 |
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| 1999/09 |
MOCVD法を用いたサファイア基板上AlGaN/GaN MODFETの諸特性
江川孝志、石川博康、神保孝志、梅野正義
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江川孝志;石川博康;神保孝志;梅野正義 |
|
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| 1999/07 |
青色面発光レーザ用GaN/AlGaN半導体多層膜反射鏡の作製
中田尚幸、石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
|
中田尚幸;石川博康;江川孝志;神保孝志;梅野正義 |
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| 1999/07 |
High-Quality GaN on Si substrate by use of AlGaN/AlN Intermediate layer
H. Ishikawa,Z. Y. Zhao,N. Nakada,T. Egawa,T. Soga,T. Jimbo,M. Umeno
|
H. Ishikawa,Z. Y. Zhao,N. Nakada,T. Egawa,T. Soga,T. Jimbo,M. Umeno |
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The Third International Conference on Nitride Semiconductors (Montpellier, July 4-9, 1999) |
| 1999/05 |
Si基板上GaNの暗点密度観察
中路雅晴、石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
|
中路雅晴;石川博康;江川孝志;神保孝志;梅野正義 |
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| 1999/03 |
Si基板上GaNの成長（２）－メルトバックエッチング－
石川博康、趙廣元、江川孝志、曽我哲夫、神保孝志、梅野正義
|
石川博康;趙廣元;江川孝志;曽我哲夫;神保孝志;梅野正義 |
|
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| 1999/03 |
Si基板上GaNの成長（１）－Si基板上buffer層の熱的安定性－
石川博康、趙廣元、江川孝志、曽我哲夫、神保孝志、梅野正義
|
石川博康;趙廣元;江川孝志;曽我哲夫;神保孝志;梅野正義 |
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| 1999/03 |
AlGaN/GaNヘテロ界面の電気的特性
趙廣元、石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
|
趙廣元;石川博康;江川孝志;神保孝志;梅野正義 |
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| 1999/03 |
Si基板上GaNの電気的特性
中路雅晴、石川博康、江川孝、志神保孝志、梅野正義
|
中路雅晴;石川博康;江川孝;志神保孝志;梅野正義 |
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| 1999/03 |
リセス構造を用いたGaN MODFETの特性
中村光一、石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
|
中村光一;石川博康;江川孝志;神保孝志;梅野正義 |
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| 1999/03 |
Ar, Cr及びHeイオンを注入したGaNのラマン散乱
渡辺宣朗、山田朋幸、佐野芳明、石川博康、江川孝志、梅野正義
|
渡辺宣朗;山田朋幸;佐野芳明;石川博康;江川孝志;梅野正義 |
|
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| 1998/11 |
MOCVD法を用いたサファイア基板上のGaN MESFETの諸特性
江川孝志、石川博康、中村光一、神保孝志、梅野正義
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江川孝志;石川博康;中村光一;神保孝志;梅野正義 |
|
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| 1998/11 |
サファイア基板上AlGaN/GaNの歪みと電気的特性
石川博康、中村光一、江川孝志、神保孝志、梅野正義
|
石川博康;中村光一;江川孝志;神保孝志;梅野正義 |
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| 1998/09 |
High-Temperature Behaviors of GaN Schottky Barrier Diode
K. Nakamura,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo,M. Umeno
|
K. Nakamura,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo,M. Umeno |
|
|
The 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials (Hiroshima, Sept. 7-10) |
| 1998/09 |
Sapphire基板上AlGaN/GaNにおけるピエゾ電界の反転
石川博康、江川孝志、曽我哲夫、神保孝志、梅野正義
|
石川博康;江川孝志;曽我哲夫;神保孝志;梅野正義 |
|
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| 1998/09 |
Al0.27Ga0.73N/GaN distributed Bragg Reflector grown by atmospheric pressure MOCVD
H. Ishikawa,N. Nakada,G. Y. Zhao,T. Egawa,T. Jimbo,M .Umeno
|
H. Ishikawa,N. Nakada,G. Y. Zhao,T. Egawa,T. Jimbo,M .Umeno |
|
|
The 2nd International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (Chiba, Sept. 29-Oct. 2, 1998) |
| 1998/09 |
Micro-Raman Scattering Study of Internal Strain Relaxation in Post-Growth Patterned GaN Film Grown on Sapphire Substrate
Y. Hayashi,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Soga,T. Jimbo,M .Umeno
|
Y. Hayashi,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Soga,T. Jimbo,M .Umeno |
|
|
The 2nd International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (Chiba, Sept. 29-Oct. 2, 1998) |
| 1998/09 |
Characteristics of GaN MESFET Grown on Sapphire Substrate by MOCVD
T. Egawa,K. Nakamura,H. Ishikawa,T. Jimbo,M. Umeno
|
T. Egawa,K. Nakamura,H. Ishikawa,T. Jimbo,M. Umeno |
|
|
The 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials (Hiroshima, Sept. 7-10) |
| 1998/09 |
ポストパターニング処理したサファイア基板上GaNの内部圧縮応力緩和
林靖彦、石川博康、江川孝志、曽我哲夫、神保孝志、梅野正義
|
林靖彦;石川博康;江川孝志;曽我哲夫;神保孝志;梅野正義 |
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| 1998/03 |
常圧MOCVD法によるGaN/AlGaN多層膜反射鏡の作製
中田尚幸、趙廣元、石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
|
中田尚幸;趙廣元;石川博康;江川孝志;神保孝志;梅野正義 |
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| 1998/03 |
Sapphire基板上AlGaN/GaNシングルヘテロ構造の諸特性
石川博康、山本健作、中村光一、江川孝志、曽我哲夫、神保孝志、梅野正義
|
石川博康;山本健作;中村光一;江川孝志;曽我哲夫;神保孝志;梅野正義 |
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| 1998/03 |
GaNショットキーダイオードの高温動作特性
中村光一、石川博康、江川孝、志神保孝志、梅野正義
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中村光一;石川博康;江川孝;志神保孝志;梅野正義 |
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| 1998/03 |
FT-IR反射法によるAlGaNの赤外スペクトル測定
兪国林、石川博康、江川孝志、曽我哲夫、渡邉純二、神保孝志、梅野正義
|
兪国林;石川博康;江川孝志;曽我哲夫;渡邉純二;神保孝志;梅野正義 |
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| 1997/10 |
MOCVD法によるサファイア基板上のGaNのEBIC観察
山本健作、中村光一、石川博康、江川孝志、曽我哲夫、神保孝志、梅野正義
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山本健作;中村光一;石川博康;江川孝志;曽我哲夫;神保孝志;梅野正義 |
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| 1997/10 |
収束イオンビームエッチングによるサファイア基板上GaNの平坦な断面の加工
伊藤猛、石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
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伊藤猛;石川博康;江川孝志;神保孝志;梅野正義 |
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| 1997/10 |
GaNショットキーダイオードの諸特性
中村光一、山本健作、石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義
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中村光一;山本健作;石川博康;江川孝志;神保孝志;梅野正義 |
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| 1997/10 |
MOCVD法を用いたサファイア基板上のGaN MESFETの作製
江川孝志、中村光一、石川博康、神保孝志、梅野正義
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江川孝志;中村光一;石川博康;神保孝志;梅野正義 |
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| 1997/10 |
Thermal stability of GaN on (111)Si substrate
H. Ishikawa,K. Yamamoto,T. Egawa,T. Soga,T. Jimbo,M. Umeno
|
H. Ishikawa,K. Yamamoto,T. Egawa,T. Soga,T. Jimbo,M. Umeno |
|
|
The Second International Conference on Nitride Semiconductors (Tokushima, Oct. 27-31, 1997) |
| 1997/10 |
EBIC observation of n-GaN Grown on Sapphire Substrates by MOCVD
K. Yamamoto,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo,M. Umeno
|
K. Yamamoto,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Jimbo,M. Umeno |
|
|
The Second International Conference on Nitride Semiconductors (Tokushima, Oct. 27-31, 1997) |
| 1997/10 |
Mechanical properties of the GaN thin films deposited on sapphire substrate
G. Yu,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Soga,J. Watanabe,T. Jimbo,M. Umeno
|
G. Yu,H. Ishikawa,T. Egawa,T. Soga,J. Watanabe,T. Jimbo,M. Umeno |
|
|
The Second International Conference on Nitride Semiconductors (Tokushima, Oct. 27-31, 1997) |
| 1997/10 |
サファイア基板上に成膜したGaNの光学と機械性質
兪国林、石川博康、江川孝志、曽我哲夫、渡邉純二、神保孝志、梅野正義
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兪国林;石川博康;江川孝志;曽我哲夫;渡邉純二;神保孝志;梅野正義 |
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| 1997/10 |
ラマン散乱測定、FT-IR測定によるn-GaN結晶の評価
林靖彦、石川博康、渡辺敬輔、曽我哲夫、神保孝志、梅野正義
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林靖彦;石川博康;渡辺敬輔;曽我哲夫;神保孝志;梅野正義 |
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| 1997/10 |
Sapphire基板上低温GaN buffer層へのGaN初期成長制御
石川博康、江川孝志、曽我哲夫、神保孝志、梅野正義
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石川博康;江川孝志;曽我哲夫;神保孝志;梅野正義 |
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| 1997/05 |
GaNショットキーダイオードの特性
中村光一、石川博康、梅野正義、江川孝志、神保孝志
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中村光一;石川博康;梅野正義;江川孝志;神保孝志 |
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| 1997/03 |
GaN buffer層の熱的安定性
石川博康、江川孝志、曽我哲夫、神保孝志、梅野正義
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石川博康;江川孝志;曽我哲夫;神保孝志;梅野正義 |
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| 1997/03 |
Optical characterization of GaN/sapphire films by spectroscopic ellipsometery and the optical transmission method
G. Wang,G. Yu,H. Ishikawa,T. Egawa,J. Watanabe,T. Jimbo,M. Umeno
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G. Wang,G. Yu,H. Ishikawa,T. Egawa,J. Watanabe,T. Jimbo,M. Umeno |
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1997年春季第44回応用物理学関係連合講演会、日本大学船橋校舎 |
| 1996/09 |
サファイア基板上Pt/GaN Schottkyダイオードの諸特性
石川博康、江川孝志、曽我哲夫、神保孝志、梅野正義 、
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石川博康;江川孝志;曽我哲夫;神保孝志;梅野正義 ; |
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1996年春季第43回応用物理学関係連合講演会、東洋大学 |
| 1996/03 |
Highly c-axis aligned GaN thin film grown on Si using GaP intermediate layer by metalorganic chemical vapor deposition
H. Ishikawa,T. Soga,T. Nagatomo,T. Jimbo,M. Umeno
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H. Ishikawa,T. Soga,T. Nagatomo,T. Jimbo,M. Umeno |
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The International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (Chiba, March 5-7, 1996) |
| 1995/09 |
Crystal growth of GaN on GaP substrate using RF plasma assisted metalorganic chemical vapor deposition for blue emitting laser
diode on Si
H. Ishikawa,M. Tsuchida,C. L. Shao,T. Soga,T. Jimbo,M. Umeno
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H. Ishikawa,M. Tsuchida,C. L. Shao,T. Soga,T. Jimbo,M. Umeno |
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Topical Workshop on III-V Nitrides (Nagoya, Sept. 21-23, 1995) |
| 1995/05 |
MOVPE法によるGaP/Si基板上へのGaN薄膜の低温成長
石川博康、横内健一、荒木朋和、長友隆男、曽我哲夫、神保孝志、梅野正義
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石川博康;横内健一;荒木朋和;長友隆男;曽我哲夫;神保孝志;梅野正義 |
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| 1993/12 |
可視光照射によるポーラスSiの作製とその評価
E.I. Pattiwael、石川博康、長友隆男、大本修
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E.I. Pattiwael;石川博康;長友隆男;大本修 |
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